重庆云潼科技有限公司黄晓意获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆云潼科技有限公司申请的专利一种带泄放支路的H桥驱动电路和芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223285743U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421645417.9，技术领域涉及：H02M1/32；该实用新型一种带泄放支路的H桥驱动电路和芯片是由黄晓意;胡绍国;廖光朝;蒋开悦设计研发完成，并于2024-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种带泄放支路的H桥驱动电路和芯片在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种带泄放支路的H桥驱动电路和芯片，所属领域为电机驱动领域。驱动电路包括驱动芯片模块、开关控制模块和开关误导通保护模块。开关控制模块由三极管和MOS管组合控制电路组成，确保IGBT在关断时能够快速泄放栅极电荷，防止误导通。误导通保护模块通过提供低阻抗路径，增强电荷泄放能力，保证IGBT的准确关断，避免浪涌电压的影响。该电路实现了电机的顺反向控制及高频开关应用中的可靠性和快速响应性能，适用于直流电动机控制、步进电机控制、直流‑交流变换器和直流‑直流变换器等功率电子装置。通过这种设计，有效提升了电机控制系统的稳定性和安全性。
本实用新型一种带泄放支路的H桥驱动电路和芯片在权利要求书中公布了：1.一种带泄放支路的H桥驱动电路，其特征在于，包括两个桥臂，每个所述桥臂均设有两个开关单元，每个开关单元的控制端均和其对应的独立驱动电路连接；每个所述驱动电路包括驱动芯片模块，开关控制模块； 所述开关控制模块包括第一驱动支路和第二驱动支路； 所述第一驱动支路、第二驱动支路分别包含有三极管开关电路与MOS管开关电路，所述三极管开关电路与MOS管开关电路级联驱动输出；所述第一驱动支路和第二驱动支路并联设置并连接开关单元的控制端； 所述第一驱动支路用于控制开关单元的导通；所述第二驱动支路用于控制开关单元的关断，并用于在开关从导通状态切换到关断状态时快速泄放开关单元控制端的电荷。
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