宁夏大学郑富获国家专利权
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龙图腾网获悉宁夏大学申请的专利增强CoFe基磁性多层膜垂直磁各向异性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118711985B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410884409.8，技术领域涉及：H01F41/18；该发明授权增强CoFe基磁性多层膜垂直磁各向异性的方法是由郑富;朱泽镱;马丽;王晓梦;曹志杰;龙河海;万雅帆;王雪设计研发完成，并于2024-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本增强CoFe基磁性多层膜垂直磁各向异性的方法在说明书摘要公布了：本发明公开增强CoFe基磁性多层膜垂直磁各向异性的方法，具体步骤如下：步骤1.制备MgO层：由射频磁控溅射法直接在衬底上沉积；步骤2.制备CoFe基磁性层：由射频磁控溅射法在MgO层上沉积CoFe基磁性层；步骤3.制备Mo隔离层：由直流磁控溅射法在CoFe基磁性层上沉积Mo隔离层；步骤4.制备重金属层：由直流磁控溅射法在Mo隔离层上沉积重金属层；步骤5.退火：在重金属层沉积结束后，将样品进行退火处理。该方法制备流程简单，制备难度较小，对CoFe基磁性多层膜的垂直磁各向异性增强有效可靠。
本发明授权增强CoFe基磁性多层膜垂直磁各向异性的方法在权利要求书中公布了：1.增强CoFe基磁性多层膜垂直磁各向异性的方法，其特征在于，具体步骤如下： 步骤1.制备MgO层：由射频磁控溅射法直接在衬底上沉积； 步骤2.制备CoFe基磁性层：由射频磁控溅射法在MgO层上沉积CoFe基磁性层； 步骤3.制备Mo隔离层：由直流磁控溅射法在CoFe基磁性层上沉积Mo隔离层； 步骤4.制备重金属层：由直流磁控溅射法在Mo隔离层上沉积重金属层；其中，重金属层为W层； 步骤5.退火：在重金属层（5）沉积结束后，将样品进行退火处理； 步骤1中衬底为Si基片； 溅射气氛为氩气，氩气流量为18sccm-36sccm； 磁控溅射系统基板旋转速度为5rpm-20rpm； 步骤4中，沉积的重金属层所用材质为表面自由能高于2939mJm2的非铁磁重金属； 步骤5中，退火温度为400℃-500℃，退火时间为1h； MgO层的厚度为：2nm；CoFe基磁性层的厚度为：1nm-1.7nm；Mo隔离层的厚度为：1nm-4nm；重金属层的厚度为：2nm-4nm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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