重庆云潼科技有限公司李俊辉获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆云潼科技有限公司申请的专利一种MOSFET测试电路获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223284330U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202421504975.3,技术领域涉及:G01R31/26;该实用新型一种MOSFET测试电路是由李俊辉;廖光朝;张小兵;胡绍国设计研发完成,并于2024-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOSFET测试电路在说明书摘要公布了:本实用新型提供了一种MOSFET测试电路,包括:电感支路、辅助测试器件支路、短路支路和驱动信号模块,电感支路和辅助测试器件支路上分别设有第一开关和第二开关,电感支路的一端与电源连接,电感支路的另一端与被测器件的漏极连接,电感支路分别与辅助测试器件支路和短路支路并联,驱动信号模块与被测器件的栅极连接,被测器件的源极接地。
本实用新型一种MOSFET测试电路在权利要求书中公布了:1.一种MOSFET测试电路,其特征在于,包括: 电感支路、辅助测试器件支路、短路支路和驱动信号模块,电感支路和辅助测试器件支路上分别设有第一开关K1和第二开关K2,电感支路的一端与电源VCC连接,电感支路的另一端与被测器件Q2的漏极连接,电感支路分别与辅助测试器件支路和短路支路并联,驱动信号模块与被测器件Q2的栅极连接,被测器件Q2的源极接地。
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