华中科技大学梁琳获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利压接IGBT的在线监测和驱动电路、结温计算方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118777820B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410760909.0，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权压接IGBT的在线监测和驱动电路、结温计算方法和系统是由梁琳;张子扬设计研发完成，并于2024-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本压接IGBT的在线监测和驱动电路、结温计算方法和系统在说明书摘要公布了：本申请属于IGBT结温监测领域，具体公开了压接IGBT的在线监测和驱动电路、结温计算方法和系统。通过本申请，可以在PPIGBT的一个开关周期100μs内，不影响功率变换器正常运行情况下准确在线监测虚拟阈值电压；不需打开IGBT封装，直接把监测电路连接在器件端口处，实现非侵入性监测。将虚拟阈值电压作为一种新的温度敏感电参数TSEP，通过准确在线监测虚拟阈值电压，再根据虚拟阈值电压和结温之间的线性关系，在线计算结温。实现以下技术效果：1响应时间短：在一个开关周期100μs内；2与传统的方法相比，监测电路元件数目少；3适用于任意压力情况，只需标定该压力下的结温‑虚拟阈值电压的拟合关系式。
本发明授权压接IGBT的在线监测和驱动电路、结温计算方法和系统在权利要求书中公布了：1.一种压接IGBT虚拟阈值电压在线监测电路，其特征在于，包括：电流源、两个二极管和三个MOSFET；其中， 所述电流源的输出端、第一MOSFET的漏极和第二MOSFET的漏极三者短接； 第一MOSFET的源极接地，第二MOSFET的源极、第一二极管的阳极和第二二极管的阳极三者短接； 第一二极管的阴极，用于和被测压接IGBT的集电极连接，所述被测压接IGBT的发射极接地； 第二二极管的阴极和第三MOSFET的源极连接，用于和被测压接IGBT的栅极连接； 第三MOSFET漏极，用于和外部栅极驱动电路的输出端口连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华中科技大学，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号