东北大学秦高梧获国家专利权
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龙图腾网获悉东北大学申请的专利一种聚醚醚酮薄膜绕包Cu电磁线及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117976347B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410132200.6，技术领域涉及：H01F5/02；该发明授权一种聚醚醚酮薄膜绕包Cu电磁线及其制备方法和应用是由秦高梧;任玉平;李松;秦正朋设计研发完成，并于2024-01-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种聚醚醚酮薄膜绕包Cu电磁线及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种聚醚醚酮薄膜绕包Cu电磁线及其制备方法和应用，属于电磁线技术领域。本发明首先在铜电磁线表面磁控溅射过渡层并控制过渡层的种类，采用高活性的Al、Ti、Cr或其合金，既能够与聚醚醚酮薄膜中的官能团形成化学键，又能够与Cu层形成冶金结合，从而提高聚醚醚酮和Cu之间的结合力，然后包覆聚醚醚酮薄膜，聚醚醚酮具有较高的稳定性、力学性能、绝缘性和耐高压击穿及抗电晕能力，且厚度较薄，最后进行热处理，使得聚醚醚酮薄膜厚度均匀、致密，从而使制备的聚醚醚酮薄膜绕包Cu电磁线具有优异的性能，制备方法简单，绿色环保。
本发明授权一种聚醚醚酮薄膜绕包Cu电磁线及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种聚醚醚酮薄膜绕包Cu电磁线的制备方法，包括以下步骤： 1在铜电磁线表面进行磁控溅射过渡层，得到过渡层包覆铜电磁线；所述过渡层包括Al层、Ti层、Cr层、Al-Ti合金层、Al-Cr合金层、Ti-Cr合金层或Al-Ti-Cr合金层；所述过渡层的厚度为2～100nm； 2在所述步骤1得到的过渡层包覆铜电磁线表面包覆聚醚醚酮薄膜，得到聚醚醚酮包覆铜电磁线；所述聚醚醚酮薄膜的厚度为2～20μm； 3将所述步骤2得到的聚醚醚酮包覆铜电磁线进行热处理后冷却，得到聚醚醚酮薄膜绕包Cu电磁线； 所述步骤1中磁控溅射的背底真空度＜1×10-3Pa，磁控溅射的Ar压力为0.1～2Pa，磁控溅射速率为5～100nmmin；所述步骤3中热处理的温度为350～420℃，热处理的时间为1～10min。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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