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龙图腾网获悉北京理工大学申请的专利一种局部热刺激诱导RDX炸药自持反应模拟方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117763874B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410090498.9，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种局部热刺激诱导RDX炸药自持反应模拟方法及系统是由吴艳青;吴兴中;刘如沁;杨昆设计研发完成，并于2024-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种局部热刺激诱导RDX炸药自持反应模拟方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开一种局部热刺激诱导RDX炸药自持反应模拟方法及系统。该方法包括：搭建单质炸药分子结构模型，并对所述单质炸药分子结构模型进行处理，得到不同晶型和压缩密度的α‑RDX超晶胞模型；对所述不同晶型和压缩密度的α‑RDX超晶胞模型施加不同作用时长的热浴载荷刺激；设定相应的边界条件，编译化学反应产物可视化程序，分析不同热浴载荷刺激下对所述α‑RDX超晶胞模型进行点火与自持反应的影响。本发明能够研究热点临界温度诱导绝热过程的自持点火和反应生长过程，模拟研究局部热刺激下不同晶型和不同压缩密度RDX的热点自持反应问题。

本发明授权一种局部热刺激诱导RDX炸药自持反应模拟方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种局部热刺激诱导RDX炸药自持反应模拟方法，其特征在于，所述方法包括： 搭建单质炸药分子结构模型，并对所述单质炸药分子结构模型进行处理，得到不同晶型和压缩密度的α-RDX超晶胞模型； 对所述不同晶型和压缩密度的α-RDX超晶胞模型施加不同作用时长的热浴载荷刺激； 设定相应的边界条件，编译化学反应产物可视化程序，分析不同热浴载荷刺激下对所述α-RDX超晶胞模型进行点火与自持反应的影响； 所述搭建单质炸药分子结构模型，并对所述单质炸药分子结构模型进行处理，得到不同晶型和压缩密度的α-RDX超晶胞模型，具体包括： 获取剑桥晶体数据库中正交晶系α-RDX单原晶胞模型； 将所述正交晶系α-RDX单原晶胞模型分别沿着a、b、c轴拓展5×6×6倍，得到三维尺寸为的α-RDX超晶胞模型； 保持体系分数左标不变，对所述α-RDX超晶胞模型进行三轴等比压缩，得到具有不同压缩密度的五种α-RDX超晶胞模型； 所述对所述不同晶型和压缩密度的α-RDX超晶胞模型施加不同作用时长的热浴载荷刺激，具体包括： 确定施加热刺激方法； 根据所述热刺激方法对α-RDX超晶胞模型进行几何弛豫； 基于Maxwell-Boltzmann分布特征，通过随机数seed生成器赋予系统内原子初始速度，采用Berendsen热浴在NVT系综中动力学弛豫10ps，优化原子坐标； 将所述α-RDX超晶胞模型整体置于NVE系综，选取超晶胞质心周围78个RDX分子所处的三维空间作为模拟热点区域，使用Berendsen热浴法对热点区域施加2000K的热脉冲载荷； 在设定tpulse时刻结束局部热刺激作用，且仍将所述α-RDX超晶胞模型置于NVE系综，维持绝热过程来考察后续热点点火和自持反应情况，使得总运行时间大于200ps。

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