电子科技大学孙阔获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种分离光暗电流的钙钛矿基X射线直接成像探测器结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117979720B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311816227.9，技术领域涉及：H10K30/81；该发明授权一种分离光暗电流的钙钛矿基X射线直接成像探测器结构是由孙阔;向勇;王辛瑜;韩婷设计研发完成，并于2023-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种分离光暗电流的钙钛矿基X射线直接成像探测器结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种分离光暗电流的钙钛矿基X射线直接成像探测器结构，包含多个阵列排布的电极单元，其中电极单元包括基板、TFT基板、像素电极、提供横向电场的电极1、电极2，钙钛矿材料、封装结构，为了解决常规钙钛矿器件中暗电流和光生电流混合输出情况，在TFT器件上表面增加可以提供差异化电场的双电极结构，可以有效将暗电流和光生电流进行分离，提高了X射线探测器的灵敏度和响应。另外增加封装结构，解决X射线探测器工作稳定性。
本发明授权一种分离光暗电流的钙钛矿基X射线直接成像探测器结构在权利要求书中公布了：1.一种分离光暗电流的钙钛矿基X射线直接成像探测器结构，其特征在于，所述探测器结构包括N×M个呈阵列排布的电极单元，所述电极单元包括基板、TFT基板、电极层、钙钛矿材料、顶电极、封装层； 其中，所述基板上表面为TFT基板，TFT基板上表面为电极层； 所述电极层包括像素电极、横向电场定义结构、电极1、电极2；所述横向电场定义结构的厚度大于像素电极的厚度；所述横向电场定义结构在像素电极左右两侧呈对称结构；电极1、电极2沉积在横向电场定义结构的上表面或除外侧面和底面的多个面上，像素电极、电极1、电极2之间两两不接触；电极1和电极2的电压大于像素电极电压； 电极层上表面及电极单元的电极层之间为钙钛矿材料；所述钙钛矿材料上表面为顶电极，所述顶电极上表面为封装层。
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