有研稀土新材料股份有限公司;有研稀土高技术有限公司;雄安稀土功能材料创新中心有限公司张霞获国家专利权
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龙图腾网获悉有研稀土新材料股份有限公司;有研稀土高技术有限公司;雄安稀土功能材料创新中心有限公司申请的专利一种半导体发光用的氮化物荧光材料及发光器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117925235B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311662652.7，技术领域涉及：C09K11/79；该发明授权一种半导体发光用的氮化物荧光材料及发光器件是由张霞;刘荣辉;刘玉洁;刘元红;张晶;陈观通设计研发完成，并于2023-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体发光用的氮化物荧光材料及发光器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体发光用的氮化物荧光材料及发光器件，所述氮化物荧光材料包括化学通式为AaKbSicDdBxNy:zR的化合物；A包括：La、Y、Lu、Gd中的一种或两种，且必含La；D包括：Ge、Sn、Ti中的至少一种，且必含Ge或Ti；R包括：Ce、Eu、Tb和Dy中的一种或两种，且必含Ce；所述氮化物荧光材料具有和La3Si6N11相同的晶体结构；其中，2.5≤a≤3.2，0≤b≤0.5，5.8≤c≤6.2，0≤d≤0.5，0≤x≤0.5，10.5≤y≤11.5,0.005≤z≤0.4，且b和d同时为0或同时不为0，b+d+x＞0。
本发明授权一种半导体发光用的氮化物荧光材料及发光器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光用的氮化物荧光材料，其特征在于，所述氮化物荧光材料包括化学通式为AaKbSicDdBxNy:zR的化合物； A包括：La、Y、Lu、Gd中的一种或两种，且必含La； D包括：Ge、Sn、Ti中的至少一种，且必含Ge或Ti； R包括：Ce、Eu、Tb和Dy中的一种或两种，且必含Ce； 所述氮化物荧光材料具有和La3Si6N11相同的晶体结构； 其中，2.5≤a≤3.2，0b≤0.5，5.8≤c≤6.2，0d≤0.5，0≤x≤0.5，10.5≤y≤11.5，0.005≤z≤0.4。
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