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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利基于体硅键合技术的悬臂微桥可调谐红外滤波器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117539049B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311520743.7，技术领域涉及：G02B26/00；该发明授权基于体硅键合技术的悬臂微桥可调谐红外滤波器及其制备方法是由应翔霄;周易;周建;王芳芳;陈建新设计研发完成，并于2023-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于体硅键合技术的悬臂微桥可调谐红外滤波器及其制备方法在说明书摘要公布了：一种基于体硅键合技术的大面积悬臂微桥工艺的静电调谐红外滤波器及其制备方法，动镜和静镜独立加工，利用铟互联为一体，形成静电电压驱动可调谐的F‑P滤波器结构。本发明有效解决利用牺牲层技术透光面积有限、不耐真空低温冲击等缺陷。采用铟粘合的工艺实现动、静镜集成一体，能保证大面积mm尺寸整体桥面一致性，且桥面总体应力均匀。满足真空、低温冲击下的使用条件。且在中波红外范围实现电压驱动下滤波范围调谐功能。该发明可用于制冷型红外探测器表面集成滤波片，获得覆盖整个芯片面积的大尺寸动态滤波调谐的探测功能。

本发明授权基于体硅键合技术的悬臂微桥可调谐红外滤波器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于体硅键合技术的圆弧型悬臂微桥结构可调谐红外滤波器，包括静镜和动镜，其特征在于，所述静镜和动镜通过铟球互联键合为一体，中间形成空腔，利用静电力作用实现动态可调谐功能； 所述静镜包括静镜硅衬底层B1、位于该静镜硅衬底层B1上的金电极层和静镜滤波区域B3，以及多根铟柱梁B4；所述金电极层由多组电极组构成，每组电极组由第一电极B21和第二电极B22组成，所述第一电极B21靠近所述静镜滤波区域B3的一端呈圆形，上方设置所述铟柱梁B4，用于与所述动镜T导电，所述第二电极B22的一端与所述第一电极B21对应，另一端呈圆弧状围绕所述静镜滤波区域B3；所述静镜滤波区域B3呈圆形，且位于所述第二电极B22圆弧端围绕而成的圆形中央； 所述动镜包括动镜硅衬底层T1、以及位于该动镜硅衬底层T1上的悬臂梁电极层和动镜滤波区域T3；所述悬臂梁电极层由多组与所述电极组数量相同的臂梁电极组构成，每组臂梁电极组由依次连接的第一悬臂梁电极T21、第二悬臂梁电极T22和第三悬臂梁电极T23连接成圆弧形，各个臂梁电极组相互嵌套围绕成圆形，所述动镜滤波区域T3呈圆形，且位于所述臂梁电极组围绕而成的圆形中央；所述动镜硅衬底层T1划分为固定区域、悬臂梁区域T4和桥面区域T5；所述第一悬臂梁电极T21位于所述悬臂梁区域T4上，并与所述铟柱梁B4相对应形成支撑结构；所述第二悬臂梁电极T22位于所述悬臂梁区域T4上，所述第三悬臂梁电极T23一部分位于所述桥面区域T5上，另一部分位于固定区域上； 所述铟柱梁B4与所述第一悬臂梁电极T21键合，使所述动镜与静镜键合为一体；所述静镜滤波区域B3与动镜滤波区域T3相对应构成悬空的空腔结构，在偏置电压作用下，利用静电力降低悬臂梁区域T4和桥面区域T5的高度，实现滤波波长随腔长高度的调谐； 所述电极组为三组，所述铟柱梁B4为三根，所述臂梁电极组为三组。

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