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龙图腾网获悉化学与精细化工广东省实验室申请的专利一种有机半导体g-C₃N₄催化合成（E）-乙烯基硒砜类化合物的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117164492B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311131090.3，技术领域涉及：C07C391/02；该发明授权一种有机半导体g-C₃N₄催化合成（E）-乙烯基硒砜类化合物的方法是由夏海东;严建忠;潘志国;段亚南;张尧;李东设计研发完成，并于2023-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种有机半导体g-C₃N₄催化合成（E）-乙烯基硒砜类化合物的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种有机半导体g‑C3N4催化合成（E）‑乙烯基硒砜类化合物的方法，涉及有机合成技术领域。本发明以硒磺酸酯、炔烃为反应底物，以尿素热聚缩合制得的石墨相氮化碳g‑C3N4为催化剂，在有机溶剂和光照条件下发生自由反应得到（E）‑乙烯基硒砜类化合物。本发明为（E）‑乙烯基硒砜类化合物的合成提供了一种新的路径，采用本发明的合成路线制备烷基芳基炔类化合物反应条件温和，收率较高。本发明利用方便可调且可循环的有机半导体g‑C3N4作为多相光催化剂，在无金属的条件下，实现炔烃的原子转移自由基加成反应，实现对反应立体选择性和区域选择性的精准控制，具有良好的应用潜力。

本发明授权一种有机半导体g-C₃N₄催化合成（E）-乙烯基硒砜类化合物的方法在权利要求书中公布了：1.一种有机半导体g-C3N4催化合成E-乙烯基硒砜类化合物的方法，其特征在于，包括以下步骤：以硒磺酸酯、炔烃为反应底物，以石墨相氮化碳g-C3N4为催化剂，在有机溶剂和光照条件下发生自由基反应，经过滤重结晶或层析纯化，得到所述E-乙烯基硒砜类化合物； 反应的化学方程式如下式所示： 其中，式I化合物为硒磺酸酯，R1选自萘基、苯并呋喃基、吡啶基、噻吩基、苯基、一个或多个取代基取代的苯基，所述取代基选自甲基、甲氧基、苯氧基、卤素基、氰基、硝基、三氟甲基、溴甲基、乙酰胺基或叔丁基； R2选自萘基、茚基、吡啶基、噻吩基、苄基、苯乙基、苯丙基、苯丁基、苯戊基、苯基、一个或多个取代基取代的苯基，所述取代基选自甲氧基、乙氧基、苯氧基、三氟甲氧基、羟基、卤素基、氰基、硝基、三氟甲基、醛基、甲基、乙基、异丙基或叔丁基； 式II化合物为炔烃，R3选自C1～C16直链或支链的烷基、C3～C6环烷基、环己烯基、氯甲基、氯乙基、氯丙基、氯丁基、乙酮基、二甲基胺基甲基、氰基、萘基、吡啶基、吡咯基、喹啉基、噻吩基、乙酸甲酯基、苯甲酸甲酯基、苯甲酸基、甲氧甲基、苯氧甲基、对甲基苯氧甲基、苄氧乙基、苄氧丙基、苄基、苯乙基、苯基、一个或多个取代基取代的苯基，所述取代基选自甲氧基、三氟甲氧基、甲酸甲酯基、乙炔基、卤素基、氰基、硝基、三氟甲基、三氟甲氧基、醛基、甲基、乙基、异丙基或叔丁基。

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