南京工业大学葛丹华获国家专利权
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龙图腾网获悉南京工业大学申请的专利一种去除四环素的g-C3N4基纳米复合材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117101696B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310915507.9，技术领域涉及：B01J27/24；该发明授权一种去除四环素的g-C3N4基纳米复合材料及其制备方法是由葛丹华;陈晓君;王焱;李浩然;王婉竹设计研发完成，并于2023-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种去除四环素的g-C3N4基纳米复合材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种去除四环素的g‑C3N4基纳米复合材料及其制备方法和应用，所述符合材料由如下方法制得：将硫源、铜源和g‑C3N4于溶剂中、60～70℃下反应1～6h，之后分离得到g‑C3N4基前驱体；干燥后，在空气氛围下于350～500℃恒温灼烧，即得。本发明的材料，可利用绿色分子氧作为氧化剂，通过高级氧化过程和吸附作用相结合，具有优异的催化性能和吸附效率、较高的选择性和稳定性。使用该复合材料，废水无需经过稀释处理可直接用于去除四环素。本发明制备简单、方便快捷并采用比较廉价、易得到的原料来合成，成本较低，样品的重现性比较好，适合大规模生产，在水体环境治理领域具有一定的开发潜力和应用前景。
本发明授权一种去除四环素的g-C3N4基纳米复合材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种去除四环素的g-C3N4基纳米复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： （1）将硫源、铜源和g-C3N4于溶剂中、60~70℃下反应1~6h，之后分离得到g-C3N4基前驱体；所述硫源为硫脲或硫代乙酰胺； （2）将所述g-C3N4基前驱体干燥后，在空气氛围下于350~500℃恒温灼烧，即得所述g-C3N4基纳米复合材料。
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