上海交通大学魏天然获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利一种非层状低热导硒化铟基材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116812881B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310872069.2，技术领域涉及：C01B19/00；该发明授权一种非层状低热导硒化铟基材料及其制备方法和应用是由魏天然;刘伊菲;赵琨鹏;史迅设计研发完成，并于2023-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种非层状低热导硒化铟基材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种非层状低热导硒化铟基材料，所述非层状低热导硒化铟基材料的化学式为InxSeyXz，其中X为I、Te、La中的任意一种元素，x=1或者x=1‑z，y=1或者y=1‑z，z=0.01~0.1。本发明提供的非层状低热导硒化铟基材料的制备方法，原材料来源丰富，成本低廉，生产工艺及生产设备简单，可控性及重复性都较好；其中，初始原料依次通过干磨和湿磨得到粉末，并干燥烧结，可直接得到所述非层状低热导硒化铟基材料，无需熔融等步骤，精简优化了制备步骤和工艺，且节约了成本。
本发明授权一种非层状低热导硒化铟基材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种非层状低热导硒化铟基材料，其特征在于，所述非层状低热导硒化铟基材料的化学式为InxSeyXz，其中X为I、Te、La中的任意一种元素，x=1或者x=1-z，y=1或者y=1-z，z=0.01~0.1； 所述非层状低热导硒化铟基材料具有单斜晶体结构； 所述非层状低热导硒化铟基材料的制备方法，包括以下步骤： 按照非层状低热导硒化铟基的化学式InxSeyXz计量比分别称取In固体粉末、Se固体粉末、含有X元素的固体粉末，其中X为I、Te、La中的任意一种； 将称取的In固体粉末、Se固体粉末、含有X元素的固体粉末在惰性气氛下装入球磨装置内，进行干磨，得到干式球磨粉末； 干磨完成后，在惰性气氛下，向球磨装置内加入湿磨淋洗剂，进行湿磨，得到湿式球磨粉末，干燥，烧结成型，得到非层状低热导硒化铟基材料。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海交通大学，其通讯地址为：200240 上海市闵行区东川路800号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号