电子科技大学;成都信息工程大学刘一臻获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学;成都信息工程大学申请的专利PbSe红外探测薄膜及其制备方法以及红外探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116904936B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310853012.8，技术领域涉及：C23C14/30；该发明授权PbSe红外探测薄膜及其制备方法以及红外探测器是由刘一臻;牛晓滨;孙辉设计研发完成，并于2023-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本PbSe红外探测薄膜及其制备方法以及红外探测器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种PbSe红外探测薄膜及其制备方法以及红外探测器，该PbSe红外探测薄膜的制备方法包括：采用预敏化的靶材通过物理气相沉积法在基板上沉积PbSe薄膜。预敏化的靶材通过预敏化而在靶材中掺入氧化性元素，则进一步通过物理气相沉积即可在各类基底上直接制备出元素分布均匀的敏化PbSe薄膜，进而无需再进行高温敏化步骤，即避免了高温过程下造成的元素偏析，同时也克服了因为高温限制而导致无法在柔性有机材料等衬底上的缺陷，便于与现代电子制造技术兼容。因此，该PbSe红外探测薄膜的制备方法简化了PbSe红外探测器的制备工艺，极大的降低了成本，为PbSe应用于大面积高精度柔性可穿戴红外探测器提供了可能性。
本发明授权PbSe红外探测薄膜及其制备方法以及红外探测器在权利要求书中公布了：1.一种PbSe红外探测薄膜的制备方法，其特征在于，其包括：采用预敏化的靶材通过物理气相沉积法在基板上沉积PbSe薄膜； 所述靶材的材质为PbSe。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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