上海天岳半导体材料有限公司隋晓明获国家专利权
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龙图腾网获悉上海天岳半导体材料有限公司申请的专利一种应力呈阶梯分布的碳化硅衬底获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119265695B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310837065.0，技术领域涉及：C30B23/02；该发明授权一种应力呈阶梯分布的碳化硅衬底是由隋晓明;马立兴;刘硕;王立凤;刘家朋;王昆鹏;张林;杨恒;王颖慧设计研发完成，并于2023-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种应力呈阶梯分布的碳化硅衬底在说明书摘要公布了：本申请公开了一种应力呈阶梯分布的碳化硅衬底，属于碳化硅生产加工技术领域。碳化硅衬底包括第一主表面和第二主表面；第一主表面具有第一梯度应力区间、围绕所述第一梯度应力区间的第二梯度应力区间和围绕第二梯度应力区间的第三梯度应力区间，第三梯度应力区间自衬底边缘向内延伸的宽度为2.5‑30mm，所述第二梯度应力区间自第三梯度应力区间边缘向内延伸的宽度为10‑50mm；第一梯度应力区间的体内相对应力大于等于第二梯度应力区间的体内相对应力，且小于第三梯度应力区间的体内相对应力。该碳化硅衬底各个区域内体内相对应力均匀过渡，并实现呈阶梯分布，能够提高碳化硅衬底的质量，扩大该碳化硅衬底的使用范围。
本发明授权一种应力呈阶梯分布的碳化硅衬底在权利要求书中公布了：1.一种应力呈阶梯分布的碳化硅衬底，其特征在于，所述碳化硅衬底的直径为150mm以上，所述碳化硅衬底包括第一主表面和第二主表面； 所述第一主表面具有第一梯度应力区间、围绕所述第一梯度应力区间的第二梯度应力区间和围绕所述第二梯度应力区间的第三梯度应力区间，所述第三梯度应力区间自衬底边缘向内延伸的宽度为2.5-30mm，所述第二梯度应力区间自第三梯度应力区间边缘向内延伸的宽度为10-50mm； 所述第一梯度应力区间的体内相对应力大于等于所述第二梯度应力区间的体内相对应力，且小于所述第三梯度应力区间的体内相对应力，所述体内相对应力为自所述第一主表面或第二主表面向碳化硅衬底内垂直延伸至少3μm处检测的应力值。
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