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龙图腾网获悉深圳市汇芯通信技术有限公司申请的专利一种测量MOS器件闪烁噪声的装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116593856B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310826673.1，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种测量MOS器件闪烁噪声的装置是由林甲富;虞民洪;许明伟;樊晓兵设计研发完成，并于2023-07-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种测量MOS器件闪烁噪声的装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种测量MOS器件闪烁噪声的装置。输入偏置驱动电路为待测MOS晶体管提供直流偏置电压，以使待测MOS晶体管处于线性工作区域内。输入偏置驱动电路包括为待测MOS晶体管的栅极提供直流偏置电压的栅极驱动支路；所述栅极驱动支路包括由多个电容串联接地构成的电容分压单元、开关五；开关五是一个单刀多掷开关，多个掷分别连接到电容分压单元中的不同位置，开关五的不同闭合状态为待测MOS晶体管的栅极提供不同的栅极电压值。后端噪声信号处理电路连接到待测MOS晶体管的目标位置，用来测量和分析待测MOS晶体管的目标位置的闪烁噪声。本发明能够稳定栅极电压，减小栅极闪烁噪声及其他噪声输入对于整个测试系统的影响。

本发明授权一种测量MOS器件闪烁噪声的装置在权利要求书中公布了：1.一种测量MOS器件闪烁噪声的装置，其特征是，包括待测MOS晶体管、输入偏置驱动电路和后端噪声信号处理电路； 所述输入偏置驱动电路为待测MOS晶体管提供直流偏置电压，以使待测MOS晶体管处于线性工作区域内；所述输入偏置驱动电路包括为待测MOS晶体管的栅极提供直流偏置电压的栅极驱动支路；所述栅极驱动支路包括由多个电容串联接地构成的电容分压单元、开关五；所述开关五是一个单刀多掷开关，多个掷分别连接到电容分压单元中的不同位置，开关五的不同闭合状态为待测MOS晶体管的栅极提供不同的栅极电压值； 所述后端噪声信号处理电路连接到待测MOS晶体管的目标位置，用来测量和分析待测MOS晶体管的目标位置的闪烁噪声；所述后端噪声信号处理电路包括依次连接的隔直器、低噪声电流前置放大器和动态信号分析仪；隔直器用来将待测MOS晶体管的目标位置与电路其他部分隔离开来；低噪声电流前置放大器将待测MOS晶体管的目标位置的电压信号转换为相应的电流信号，同时将目标位置的电流信号放大；动态信号分析仪采集到放大后的目标位置的电流信号，对输入信号进行采样，对闪烁噪声信进行分析和自动化测量。

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