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龙图腾网获悉兆易创新科技集团股份有限公司申请的专利自检测电路及存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119274609B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310832173.9，技术领域涉及：G11C11/4091；该发明授权自检测电路及存储装置是由金伟民;付永庆;马英设计研发完成，并于2023-07-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本自检测电路及存储装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种自检测电路及存储装置，该存储装置包括存储电路、控制电路和自检测电路，自检测电路耦接于控制电路和存储电路之间，自检测电路包括内建自测试模块和内建自测试界面；其中，内建自测试模块通过内建自测试界面和第一定制总线连接至控制电路，内建自测试模块被配置为通过第一定制总线和内建自测试界面从控制电路接收测试指令，基于测试指令执行自测试操作以侦测存储电路中损坏的存储单元，产生相应的坏点信息并存储至存储电路中。通过上述方式，本申请的自检测电路可以对存储电路中的损坏的存储单元采取坏点自动测试，减少外部操作，可以实时获取存储电路中的坏点信息，且自动化程度、通用化程度及并行化程度都较高。

本发明授权自检测电路及存储装置在权利要求书中公布了：1.一种自检测电路，其特征在于，所述自检测电路耦接于控制电路和存储电路之间，所述自检测电路包括内建自测试模块和内建自测试界面； 其中，所述内建自测试模块通过所述内建自测试界面和第一定制总线连接至所述控制电路，所述内建自测试模块被配置为通过所述第一定制总线和所述内建自测试界面从所述控制电路接收测试指令，基于所述测试指令执行自测试操作以侦测所述存储电路中损坏的存储单元，产生相应的坏点信息并存储至所述存储电路中； 其中，所述内建自测试模块包括至少一内建自测试子模块，所述存储电路包括至少一存储晶粒，每个所述内建自测试子模块分别对应一个相应的所述存储晶粒，每个存储晶粒包括第一存储子模块和第二存储子模块； 响应于至少一所述内建自测试子模块基于所述测试指令对其对应的所述存储晶粒中的所述第一存储子模块进行自测试操作，所述内建自测试子模块侦测所述第一存储子模块中损坏的存储单元，产生相应的坏点信息并将所述坏点信息存储至对应的所述存储晶粒中的所述第二存储子模块，其中，所述第一存储子模块作为自测试的测试用存储子模块，所述第二存储子模块作为自测试的测试结果存储子模块； 响应于至少一所述内建自测试子模块基于所述测试指令对其对应的所述存储晶粒中的所述第二存储子模块进行自测试操作，所述内建自测试子模块侦测所述第二存储子模块中损坏的存储单元，产生相应的坏点信息并将所述坏点信息存储至对应的所述存储晶粒中的所述第一存储子模块，其中，所述第二存储子模块作为自测试的测试用存储子模块，所述第一存储子模块作为自测试的测试结果存储子模块。

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