买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种接入集成光学陀螺系统的铌酸锂薄膜调制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116974099B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310816375.4，技术领域涉及：G02F1/035；该发明授权一种接入集成光学陀螺系统的铌酸锂薄膜调制器是由李慧;赵蕊;王飞;廖升;温琛;冯丽爽设计研发完成，并于2023-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种接入集成光学陀螺系统的铌酸锂薄膜调制器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种接入集成光学陀螺系统的铌酸锂薄膜调制器，属于集成光学陀螺领域；包括硅衬底，二氧化硅上下包层，集成铌酸锂薄膜调制器以及调制电极；传输光路分为输入耦合光路、分束光路、调制光路、单模输出光路以及输出耦合光路。分束光路波导包括1分2多模干涉耦合器结构和弯曲波导结构，将光均分为功率比1:1的两束光输出；调制光路波导包括分束‑调制锥形波导、调制波导以及调制电极，实现高调制的同时低吸收损耗；单模输出光路波导包括多模‑单模锥形波导和单模输出波导，实现低损耗单模输出；输入端和输出端耦合光路根据输入和输出耦合模斑大小设计双层锥形波导结构，实现低损耗端面耦合。本发明具有低损耗、可集成和单模输出等性能。

本发明授权一种接入集成光学陀螺系统的铌酸锂薄膜调制器在权利要求书中公布了：1.一种接入集成光学陀螺系统的铌酸锂薄膜相位调制器，其特征在于，包括硅衬底，在硅衬底从下往上分别设置有二氧化硅下包层和二氧化硅上包层，在二氧化硅上、下包层之间设置有集成刻蚀的铌酸锂薄膜调制器和铌酸锂端面耦合模斑转换器； 所述铌酸锂薄膜调制器包括铌酸锂薄膜脊波导和调制电极；所述铌酸锂薄膜脊波导包括不同宽度的分束波导，调制波导和单模输出波导； 所述分束波导包括将MMI分束结构，弯曲结构以及分束-调制锥形波导； 所述调制波导用于实现光相位调制，在调制波导两侧的调制电极上施加电压，使光在波导中传输时光相位改变；在调制波导和单模输出波导之间设置多模-单模锥形波导； 所述调制电极用于光调制，位于调制波导两侧； 所述铌酸锂端面耦合模斑转换器为上下双层锥形波导结构，包括输入耦合模斑转换器和输出耦合模斑转换器； 输入耦合模斑转换器位于输入光纤和铌酸锂薄膜调制器输入端之间，实现传输光从光纤大模场到铌酸锂薄膜调制器分束波导小模场的低损耗模斑转换；其中，单下层锥形波导端与输入光纤端连接，上下双层锥形波导端与铌酸锂薄膜调制器输入端连接； 输出耦合模斑转换器位于铌酸锂薄膜调制器的输出端与集成光学陀螺系统中的氮化硅谐振腔输入波导之间，实现传输光从铌酸锂薄膜调制器单模波导小模场到氮化硅谐振腔输入波导大模场的低损耗模斑转换；其中，单下层锥形波导端与氮化硅谐振腔输入波导端相连；上下双层锥形波导端与铌酸锂薄膜调制器输出端相连。 对所述铌酸锂薄膜调制器的调制性能进行综合评估，选定参数M来表示调制性能与调制波导宽度的关系，即： M＝Δn2a.u.·1-ALa.u. 其中，Δn为调制波导中的折射率变化，用来表征调制器的调制效率，Δn越大，调制效率越高；AL表示调制电极对传输光的吸收损耗，AL越大，电极吸收损耗越大；对于良好的调制性能，需要调制效率高的同时吸收损耗低，分别用Δna.u.和ALa.u.表示数据归一化处理后的Δn和AL，即： 其中，用F1w＝Δn表示调制波导宽度w与折射率变化Δn的关系，用F2w＝AL表示调制波导宽度w与电极吸收损耗AL的关系； 在固定电极参数的情况下，参数M随调制波导宽度w改变而变化，M参数越大表示调制器调制性能越好，找到最大M参数的调制波导宽度w，实现最优调制性能。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京航空航天大学，其通讯地址为：100191 北京市海淀区学院路37号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。