中山大学南昌研究院刘芹篁获国家专利权
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龙图腾网获悉中山大学南昌研究院申请的专利一种MEMS芯模的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116812860B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310728498.2，技术领域涉及：B81C3/00；该发明授权一种MEMS芯模的制备方法是由刘芹篁;龚跃武;陈婷;李志贤;官盛果;涂良成;杨山清设计研发完成，并于2023-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MEMS芯模的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于涉及半导体器件技术领域，涉及一种MEMS芯模的制备方法，包括以下步骤：先将硅片的氧化层侧与晶圆衬底通过热解膜粘合，同时采用深反应离子刻蚀在硅片表面形成所需图形，并在表面沉积金属膜；然后将硅片金属膜侧与晶圆衬底过热解膜粘合，进一步刻蚀形成所需图形，加热分离，剥离金属膜、去除氧化层，即得MEMS芯模；其中，S1和S2中所述热解膜由聚对苯二甲酸乙二醇酯基膜和涂覆于基膜两面的亚克力胶层组成。本发明利用热解膜与硅片的氧化层和金属膜相结合，有效避免叠片及释放过程中硅片与热解膜相接触，从而减少刻蚀过程中或刻蚀完成后对MEMS芯模的污染及损伤，还可以实现快速释放。
本发明授权一种MEMS芯模的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS芯模的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.取至少一面具有氧化层的硅片A，将其氧化层侧与晶圆衬底通过热解膜粘合；采用深反应离子刻蚀在硅片A远离晶圆衬底侧刻蚀形成所需图形得硅片B，再将硅片B与晶圆衬底加热分离； S2.在S1中硅片B的图形侧沉积金属膜，并将其金属膜侧与晶圆衬底通过热解膜粘合；采用深反应离子刻蚀在硅片B远离金属膜侧刻蚀形成所需图形得硅片C；再将硅片C与晶圆衬底加热分离，剥离金属膜、去除氧化层，即得MEMS芯模； 其中，S1和S2中所述热解膜由聚对苯二甲酸乙二醇酯基膜和涂覆于基膜两面的亚克力胶层组成。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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