江苏鑫华半导体科技股份有限公司闫家强获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏鑫华半导体科技股份有限公司申请的专利多晶硅破碎方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116586168B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310495908.3，技术领域涉及：B02C19/18；该发明授权多晶硅破碎方法是由闫家强;吴锋;田新;沙南雪;赵春梅;韩秀娟设计研发完成，并于2023-05-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本多晶硅破碎方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多晶硅破碎方法，该方法包括：1将多晶硅进行预降温，以便得到预降温后的多晶硅；2将所述预降温后的多晶硅进行冷冻，以便得到冷冻后的多晶硅；3将所述冷冻后的多晶硅进行加热，以便得到加热后的多晶硅；4将所述加热后的多晶硅进行破碎，以便得到破碎后的多晶硅。本发明的多晶硅破碎方法可以使多晶硅获得极大的晶间应力，从而使多晶硅容易破碎，提高多晶硅破碎的产品收率，延长设备破碎机构的使用寿命，并降低维护成本。
本发明授权多晶硅破碎方法在权利要求书中公布了：1.一种多晶硅破碎方法，其特征在于，包括： （1）将多晶硅进行预降温，以便得到预降温后的多晶硅，所述预降温的温度为-3℃~-7℃，所述预降温的时间为18min~22min； （2）将所述预降温后的多晶硅进行冷冻，以便得到冷冻后的多晶硅，所述冷冻的温度为-150℃~-170℃，所述冷冻的时间为28min~32min； （3）将所述冷冻后的多晶硅进行加热，以便得到加热后的多晶硅，所述加热的温度为300℃~350℃，所述加热的时间为3min~7min； （4）将所述加热后的多晶硅进行破碎，以便得到破碎后的多晶硅。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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