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龙图腾网获悉成都鼎泰新材料有限责任公司;成都虹波钼业有限责任公司;成都虹波实业股份有限公司申请的专利一种三硫化钼制备高纯钼粉的清洁生产方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116550966B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310483329.7，技术领域涉及：B22F1/00；该发明授权一种三硫化钼制备高纯钼粉的清洁生产方法是由高志强;任倩;杨伟;毕永香;张红福设计研发完成，并于2023-05-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三硫化钼制备高纯钼粉的清洁生产方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种三硫化钼制备高纯钼粉的清洁生产方法，包括：将纯净MoS3在回转管炉中密闭还原，向密闭回转炉炉管中从出料端向进料端同时通入纯净氮气和氢气，氢气露点‑30℃含氧量低于0.1ppm，尾气通过负压从进料端气管抽走，三带炉温分别设定在500～600℃，700～800℃，900～1000℃，还原时间20～85min，获得含氧量低于10ppm，纯度99.99％的钼粉。本发明原料适应性广，无氨化生产，尾气治理采用绿色循环利用，既高效且经济，生产过程工艺参数准确受控，所得钼粉较传统方法含氧量低，其余质量指标均满足国家标准及市场对深加工的各项需求。

本发明授权一种三硫化钼制备高纯钼粉的清洁生产方法在权利要求书中公布了：1.一种三硫化钼制备高纯钼粉的清洁生产方法，包括： 将纯净MoS3在回转管炉中密闭还原，向密闭回转管炉炉管中从出料端向进料端同时通入纯净氮气和氢气，氢气流速2.5~5m3h，氮气流速0.8~1.8m3h，氢气露点-30℃含氧量低于0.1ppm，尾气通过负压从进料端气管抽走，三带炉温分别设定在500~600℃，700~800℃，900~1000℃，还原时间20~85min，获得含氧量低于10ppm，纯度99.99%的钼粉； 通过以下方法制备纯净MoS3： 1）将粗钼酸钠溶液pH调至11~13后，加热至60~90℃，按照液固质量比10:1~1000:1向钼酸钠溶液中加入钼酸钙，搅拌反应1~5小时，过滤得滤液； 2）向步骤1得到的钼酸钠滤液中通入H2S至溶液pH10，搅拌1~5小时，经过滤得到纯净钼酸钠溶液；将纯净钼酸钠溶液pH值调至6.5~8，搅拌反应pH值合格后加热至40~60℃，通入H2S到溶液中，达到溶液中剩余S2-质量浓度在0.5~4gl，搅拌反应1~5小时后再次将pH值调至2.5~3，pH值合格后立即过滤，洗涤过滤所得固体至出水pH6.5~7.0，获得纯净的MoS3； 所述方法中的反应包括： MoS3+H2=MoS2+H2S MoS2+2H2=Mo+2H2S MoS3+3H2=Mo+3H2S； 将尾气收集到的H2S汇集经水洗去掉可溶性组分，再经过水分离器进入干燥器脱除残余水分，返回三硫化钼制备流程循环使用。

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