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龙图腾网获悉新唐科技日本株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208328B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411290829.X，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体装置是由林雅弘;井上翼设计研发完成，并于2023-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：半导体装置具备半导体衬底、半导体层、形成在半导体层的第1区域的第1纵型MOS晶体管、在半导体层的平面视图中形成在与第1区域邻接的第2区域的第2纵型MOS晶体管。平面视图中，第1区域和第2区域是将半导体层在面积上二等分的一方和另一方，第1区域中形成有第1纵型MOS晶体管的第1源极电极和第1源极焊盘以及第1栅极电极和第1栅极焊盘，第2区域中形成有第2纵型MOS晶体管的第2源极电极和第2源极焊盘以及第2栅极电极和第2栅极焊盘，第1源极电极的形状和第2源极电极的形状不处于以半导体层的中心为对称中心的点对称关系，第1源极电极的形状和第2源极电极的形状不处于以第1区域与上述第2区域的边界线为对称轴的线对称关系。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，是能够面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置，其特征在于， 具备： 半导体衬底； 半导体层，形成在上述半导体衬底上； 第1纵型MOS晶体管，形成在上述半导体层的第1区域，具有多个第1栅极沟槽； 第2纵型MOS晶体管，在上述半导体层的平面视图中形成在与上述第1区域邻接的第2区域，具有多个第2栅极沟槽；以及 金属层，与上述半导体衬底的背面接触而形成； 上述半导体衬底是上述第1纵型MOS晶体管及上述第2纵型MOS晶体管的共通漏极区域； 在上述平面视图中，上述第1区域和上述第2区域是将上述半导体层在面积上二等分的一方和另一方； 在上述平面视图中，在上述第1区域中形成有上述第1纵型MOS晶体管的第1源极电极和第1源极焊盘以及第1栅极电极和第1栅极焊盘； 在上述平面视图中，在上述第2区域中形成有上述第2纵型MOS晶体管的第2源极电极和第2源极焊盘以及第2栅极电极和第2栅极焊盘； 上述第1源极电极具有在上述平面视图中上述第1源极电极的形状与上述第2源极电极的形状不处于以上述半导体层的中心为对称中心的点对称关系并且不处于以上述第1区域与上述第2区域的边界线为对称轴的线对称关系的部位。

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