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龙图腾网获悉大连海事大学申请的专利一种表面强极性碳氮基半导体材料的制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116764686B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310448988.7，技术领域涉及：B01J31/26；该发明授权一种表面强极性碳氮基半导体材料的制备方法及其应用是由刘娟;孙健设计研发完成，并于2023-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种表面强极性碳氮基半导体材料的制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明属于催化剂制备技术领域，具体涉及一种表面强极性碳氮基半导体材料的制备方法及其应用。所述材料包括多孔碳氮基半导体基体，所述多孔碳氮基半导体基体表面具有强极性化学键；所述制备方法为：以三嗪类化合物为原料通过热聚合法制备得到多孔碳氮基半导体基体，通过光辐照法与原位自组装配位框架在碳氮基半导体基体表面形成强极性化学键。本发明所制备的具有强极性化学键的碳氮基材料具备更优异的结构特点和组分优势，是一种极具潜力催化体系，在未来的环境治理和能源存储及利用等领域具有广阔的应用前景。

本发明授权一种表面强极性碳氮基半导体材料的制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种表面强极性碳氮基半导体材料的制备方法，其特征在于：所述材料包括碳氮基半导体基体，所述碳氮基半导体基体表面具有强极性化学键；所述制备方法为：将原料通过热聚合法制备得到碳氮基半导体基体，通过光辐照法与原位自组装配位框架在碳氮基半导体基体表面形成强极性化学键； 所述方法具体包括以下步骤： 步骤1：将原料进行热处理，得到碳氮基半导体基体； 步骤2：将步骤1得到的碳氮基半导体基体分散于无机金属盐溶液中，得到混合悬浊液A，将混合悬浊液A在光辐照条件下搅拌，离心并超声洗涤后得到固体，随后干燥，得到负载金属离子的碳氮基半导体材料； 步骤3：将步骤2得到的负载金属离子的碳氮基半导体材料分散于含氮配体溶液中，搅拌，离心、超声洗涤后得到固体，随后干燥，得到表面强极性碳氮基半导体材料； 步骤1中，所述原料为尿素、三聚氰胺、硫脲、三聚硫氰酸中的一种或多种，所述热处理在空气、氮气、惰性气体中的一种或多种气氛中进行，或在真空下进行，所述热处理温度为350~550℃，热处理时间为1~5h； 步骤2中，所述无机金属盐包括硝酸锌、氯化锌、碳酸锌、硝酸钴、氯化铁、氯化锰中的一种或多种，所述光辐照条件为：光波长为200~800nm，光源距离混合悬浊液A液面1~15cm； 步骤3中，所述含氮配体包括2-甲基咪唑、对苯二甲酸中的一种或多种。

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