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龙图腾网获悉中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))申请的专利硅通孔结构的缺陷监测结构及其监测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116297814B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310406981.9，技术领域涉及：G01N27/83；该发明授权硅通孔结构的缺陷监测结构及其监测方法是由陈义强;刘晓毅;曲晨冰设计研发完成，并于2023-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本硅通孔结构的缺陷监测结构及其监测方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种硅通孔结构的缺陷监测结构及其监测方法。硅通孔结构的缺陷监测结构包括：半导体衬底、硅通孔结构、第一导线层、第二导线层及感应线圈；硅通孔结构包括第一硅通孔结构及第二硅通孔结构，第一硅通孔结构及第二硅通孔结构均包括硅通孔、介质层及导电柱；感应线圈与第一导线层及第二硅通孔结构的导电柱均相连接；天线结构位于具有硅通孔结构的电感结构的上方，与具有硅通孔结构的电感结构具有间距。可以基于天线结构与具有硅通孔结构的电感结构之间的电感耦合，快速确定天线结构对应的散射参数，并基于该散射参数，快速且准确判断硅通孔结构中是否存在缺陷，这样在实现降低成本的同时，快速且准确的实时监测硅通孔结构中是否缺陷。

本发明授权硅通孔结构的缺陷监测结构及其监测方法在权利要求书中公布了：1.一种硅通孔结构的缺陷监测结构，其特征在于，包括： 具有硅通孔结构的电感结构，包括：半导体衬底、硅通孔结构、第一导线层、第二导线层及感应线圈；所述硅通孔结构包括第一硅通孔结构及第二硅通孔结构，所述第一硅通孔结构及所述第二硅通孔结构均包括硅通孔、介质层及导电柱；所述硅通孔位于所述半导体衬底内，且沿厚度方向贯穿所述半导体衬底；所述介质层覆盖所述硅通孔的侧壁；所述导电柱位于所述硅通孔内，且填满所述硅通孔；所述第一导线层位于所述半导体衬底的上方，与所述半导体衬底绝缘隔离，且与所述第一硅通孔结构的导电柱相连接；所述第二导线层位于所述半导体衬底的下方，与所述半导体衬底绝缘隔离，且与所述第一硅通孔结构中的导电柱及所述第二硅通孔结构中的导电柱均相连接；所述感应线圈位于所述半导体衬底的上方，与所述半导体衬底绝缘隔离，且与所述第一导线层及所述第二硅通孔结构的导电柱均相连接； 天线结构，位于所述具有硅通孔结构的电感结构的上方，与所述具有硅通孔结构的电感结构具有间距。

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