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龙图腾网获悉上海蓝瑞电气有限公司申请的专利相控消弧线圈的一种可控硅占空比闭环控制方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118676880B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310254332.1，技术领域涉及：H02H9/08；该发明授权相控消弧线圈的一种可控硅占空比闭环控制方法及系统是由舒勇设计研发完成，并于2023-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本相控消弧线圈的一种可控硅占空比闭环控制方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了相控消弧线圈的一种可控硅占空比闭环控制方法及系统，相控消弧线圈补偿电流档位控制方式。与传统的可控硅导通角控制方式不同的是通过调理电路将可控硅两端电压转换成可控硅导通状态并对可控硅进行占空比闭环控制。控制不依赖于消弧线圈两端零序电压的过零点检测，在电网谐波含量大零序电压波形畸变严重时也能可靠控制消弧线圈补偿电流档位。

本发明授权相控消弧线圈的一种可控硅占空比闭环控制方法及系统在权利要求书中公布了：1.相控消弧线圈的一种可控硅占空比闭环控制方法，其特征在于，检测可控硅两端电压来得到可控硅导通状态，再根据消弧线圈补偿电流档位要求对可控硅进行占空比闭环控制；具体为： S1、消弧控制系统给出目标档位，根据配置文件将所述目标档位转换成可控硅延时导通角θ，对应初始延时时间Tdelay，Tdelay＝θ10000*T，T为周期； S2、计算可控硅目标占空比ρ0，ρ0＝2*T-TdelayT＝2-θ5000，取值范围0～1，0对应可控硅不导通，1对应可控硅全导通； S3、判断所述可控硅目标占空比ρ0是否为0，若是，则停止输出控制；若否，则继续判断控制是否运行； S4、若是，则不做处理，自动跟随ρ0；若否，则启动输出控制； S5、控制开始第一周波按照传统的可控硅导通角触发方式，先检测电压过零点，从电压过零点开始定时所述延时导通角θ对应的初始延时时间Tdelay，再发驱动控制可控硅导通； S6、采样检测可控硅导通到自然关断时间Ton1，根据所述可控硅导通到自然关断时间Ton1和周期T计算可控硅当前导通占空比ρ，ρ＝Ton1T； S7、将所述可控硅当前导通占空比ρ和所述S2中消弧控制系统给出的可控硅目标占空比ρ0一起输入PID调节器，输出可控硅控制占空比ρc，取值范围0～1； S8、将所述可控硅控制占空比ρc结合周期T计算可控硅维持关断时间Toff2，Toff2＝1-ρc*T； S9、从所述可控硅导通到自然关断时间Ton1结束位置开始定时Toff2，时间延时到再发驱动控制可控硅导通，继续采样检测可控硅导通到下一自然关断时间Ton2； S10、根据所述下一自然关断时间Ton2和修正后的控制周期T计算下一可控硅控制占空比，其中修正后的控制周期为所述下一自然关断时间Toff2和所述可控硅维持关断时间Ton2之和； S11、将所述下一可控硅控制占空比结合所述修正后的控制周期计算再下一可控硅维持关断时间Toff3； S12、从再下一可控硅维持关断时间结束位置开始定时Toff3，时间延时到再发驱动控制可控硅导通，继续采样检测可控硅导通到再下一自然关断时间Ton3； S13、重复上述过程，继续对可控硅导通的占空比进行带PID的闭环控制，直到停止输出控制。

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