湖北九峰山实验室向诗力获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种T型栅模板及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116107176B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310195915.1，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种T型栅模板及其制备方法和应用是由向诗力;柳俊;彭文斌设计研发完成，并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种T型栅模板及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种T型栅模板及其制备方法和应用，属于半导体器件技术领域。所述T型栅模板由透明材料制成，包括基板、位于所述基板上的第一凸起结构和位于所述第一凸起结构上的第二凸起结构；所述第一凸起结构的侧面覆盖有遮光层；所述第二凸起结构的侧面覆盖有遮光层。在紫外‑纳米压印光刻技术中使用该T型栅模板制备T型栅时，不需要旋涂多层光刻胶就能形成底切结构，使得光刻胶易于剥离，且不会影响T型栅的机械稳定性。该模板可用于T栅结构器件的大批量复制，生产效率极高。
本发明授权一种T型栅模板及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种T型栅模板，其特征在于，所述T型栅模板由透明材料制成；所述T型栅模板包括基板、位于所述基板上的第一凸起结构和位于所述第一凸起结构上的第二凸起结构；所述第一凸起结构的侧面覆盖有遮光层；所述第二凸起结构的侧面覆盖有遮光层；所述T型栅模板的制备方法包括以下步骤：S1、制备全透光T型模板，所述全透光T型模板包括基板、位于所述基板上的第一凸起结构和位于所述第一凸起结构上的第二凸起结构；所述第一凸起结构具有与所述基板的底面平行的平面，所述第二凸起结构具有与所述基板的底面平行的平面； S2、在所述全透光T型模板上沉积遮光层； S3、蚀刻掉所述第一凸起结构的平面上的遮光层、所述第二凸起结构的平面上的遮光层和所述基板的表面上的遮光层，保留所述第一凸起结构的侧面上的遮光层和所述第二凸起结构的侧面上的遮光层，得到所述T型栅模板。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北九峰山实验室，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号19层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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