南京邮电大学孙华斌获国家专利权
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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利一种环保溶液法制备铁电薄膜有机半导体晶体管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116156903B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310154930.1，技术领域涉及：H10K10/46；该发明授权一种环保溶液法制备铁电薄膜有机半导体晶体管的制备方法是由孙华斌;陈赓;丁凯瑞;吴洁;陈子龙;于志浩;徐勇设计研发完成，并于2023-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种环保溶液法制备铁电薄膜有机半导体晶体管的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种环保溶液法制备铁电薄膜有机半导体晶体管的制备方法，属于半导体制造技术领域。该器件包括：衬底；HfO2ZrO2Al2O3HfO2ZrO2交叠层；有机半导体层；金属顶电极。通过1:1交叠旋涂HfO2和ZrO2前体溶液，可以得到铁电极化均匀的HZO薄膜，通过插入超薄的Al2O3能够有效抑制HZO膜单斜相形成，保证了HZAHZ膜铁电性在总厚度增加后铁电性不会退化。该HZO薄膜的溶液法采用的溶剂环保，制备工艺简单，设备成本低，并且适用有机半导体晶体管。
本发明授权一种环保溶液法制备铁电薄膜有机半导体晶体管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种环保溶液法制备铁电薄膜有机半导体晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 1）制备氧化铪栅薄膜介质层，将四氯化铪溶于去离子水，旋涂于硅片上，预退火固化薄膜； 2）在氮气保护下制备氧化锆薄膜栅介质层，将八水氧氯化锆溶于无水乙醇，旋涂于氧化铪层上，预退火固化薄膜； 3）采用原子层沉积法生长氧化铝薄膜作为隔断层； 4）重复步骤1）、步骤2）得到HfO2ZrO2Al2O3HfO2ZrO2的铁电交叠层，快速热退火形成HZO薄膜； 5）在步骤4）基础上制备DPPT-TT有机半导体层，然后蒸镀顶电极，制备得到铁电有机半导体晶体管； 所述的步骤1）中形成的氧化铪薄膜厚度在10nm±2nm；所述的步骤2）中形成的氧化锆薄膜厚度在10nm±2nm；步骤3）中形成的氧化铝薄膜厚度在1.1nm±0.1nm； 所述步骤1）中预退火方式为：将硅片在150℃下预退火3min，所述步骤2）中预退火的方式为：将硅片在200℃氮气环境下预退火5min，所述的步骤4）中，所述的快速热退火工艺的方式为：放入高温炉内氮气环境下，保持450℃热退火2h。
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