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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利一种半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230622B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310159467.X，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权一种半导体结构的形成方法是由廖黎明;仇峰;胡林辉设计研发完成，并于2023-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构的形成方法，通过将深沟槽隔离光罩工艺集成到有源区反板光罩工艺中，通过一道光罩工艺，在基底上同时形成有源区反板区域和深沟槽隔离区域，在制作深沟槽隔离结构时，无需单独进行深沟槽隔离的硬掩膜层光罩工艺以及硬掩膜层刻蚀工艺，节省了一道光罩工艺以及相关刻蚀工艺；通过设置图形化硬掩膜层与第一缓冲层采用不同材料，从而在刻蚀工艺中可以通过控制不同材料的刻蚀速率实现有源区反板刻蚀和深沟槽刻蚀；本申请精简了工艺步骤，可以有效降低成本、提高工艺平台竞争力。

本发明授权一种半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：提供一基底，所述基底包括半导体衬底、形成于所述半导体衬底表面的图形化硬掩膜层、第一缓冲层以及图形化光刻胶层，所述图形化光刻胶层限定出有源区反板区域和深沟槽隔离区域，所述图形化硬掩膜层与第一缓冲层的材料不同，其中，所述基底进一步采用以下步骤形成：提供所述半导体衬底，于所述半导体衬底表面形成所述图形化硬掩膜层，以所述图形化硬掩膜层为掩膜对所述半导体衬底进行刻蚀形成多个第一凹槽，缓冲材料沉积形成填充满所述第一凹槽且覆盖所述图形化硬掩膜层表面的所述第一缓冲层，于所述第一缓冲层表面形成所述图形化光刻胶层，所述第一凹槽对应所述深沟槽隔离区域；以所述图形化光刻胶层为掩膜，采用刻蚀工艺进行刻蚀，以于所述深沟槽隔离区域形成深沟槽、于所述有源区反板区域暴露出所述图形化硬掩膜层；采用平坦化工艺平坦化所述第一缓冲层；隔离材料沉积，形成填充满所述深沟槽且覆盖剩余的所述图形化硬掩膜层表面以及剩余的所述第一缓冲层表面的隔离层；采用平坦化工艺平坦化所述隔离层，于所述深沟槽处形成深沟槽隔离结构。

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