上海华虹宏力半导体制造有限公司曹子贵获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利闪存结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116234313B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310089450.1，技术领域涉及：H10B41/00；该发明授权闪存结构及其制作方法是由曹子贵设计研发完成，并于2023-01-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪存结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种闪存结构及其制作方法，包括：在衬底上形成栅氧层和浮栅多晶硅层后，在隔离结构制作前形成包裹浮栅多晶硅层的氮化硅牺牲层，并在在隔离结构制作后去除氮化硅牺牲层，在浮栅多晶硅层和隔离结构之间形成间隙，进而后续形成的栅间介质层和控制栅多晶硅层依次覆盖浮栅多晶硅层并填充间隙，使控制栅多晶硅层包裹使浮栅多晶硅层，增加控制栅和浮栅的表面重叠面积，提高控制栅和浮栅的耦合电容，从而提升闪存器件的编程效率。进一步的，在浮栅多晶硅层和隔离结构之间形成的牺牲层，相当于一道氮化硅侧墙，避免浮栅在STI形成线性氧化层时被氧化，消除浮栅的Smiling效应。
本发明授权闪存结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种闪存结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底，在所述衬底上依次形成栅氧层、浮栅多晶硅层及牺牲层； 刻蚀所述牺牲层、所述浮栅多晶硅层及所述栅氧层形成开口，并在所述开口的侧壁形成牺牲层侧墙； 以所述牺牲层为掩膜刻蚀所述衬底形成沟槽，并在所述沟槽内填充隔离氧化物形成凸出衬底表面的隔离结构； 去除所述牺牲层，形成栅间介质层，所述栅间介质层覆盖所述浮栅多晶硅层的顶部、去除所述牺牲层后留下的缝隙靠近浮栅多晶硅层一侧的侧壁及缝隙的底部； 形成控制栅多晶硅层，所述控制栅多晶硅层覆盖所述栅间介质层并填充剩余部分的缝隙。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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