上海积塔半导体有限公司谷东光获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利半导体结构及浅沟槽隔离结构制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115954320B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310089273.7，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权半导体结构及浅沟槽隔离结构制备方法是由谷东光;卿晨;李留洋设计研发完成，并于2023-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及浅沟槽隔离结构制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构及浅沟槽隔离结构制备方法。所述浅沟槽隔离结构制备方法包括：提供一衬底；于所述衬底上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层包括依次层叠的第一刻蚀阻挡层、牺牲层及第二刻蚀阻挡层；图形化所述硬掩膜层，并以图形化后的硬掩膜层为掩膜版刻蚀所述衬底，以形成多个间隔排布的沟槽；去除剩余的所述牺牲层；沉积隔离材料并平坦化，以在每一所述沟槽内形成一个浅沟槽隔离结构，多个所述浅沟槽隔离结构之间的台阶高度差均匀。上述技术方案，通过在第一刻蚀阻挡层及第二刻蚀阻挡层之间设置牺牲层，避免了所述第一刻蚀阻挡层在沟槽刻蚀的过程中被消耗，使得形成的多个所述浅沟槽隔离结构之间的台阶高度差均匀，提高了产品的良率。
本发明授权半导体结构及浅沟槽隔离结构制备方法在权利要求书中公布了：1.一种浅沟槽隔离结构制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一衬底； 于所述衬底上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层包括依次层叠的第一刻蚀阻挡层、牺牲层及第二刻蚀阻挡层； 图形化所述硬掩膜层，并以图形化后的硬掩膜层为掩膜版刻蚀所述衬底，以形成多个间隔排布的沟槽； 去除剩余的所述牺牲层； 沉积隔离材料并平坦化，以在每一所述沟槽内形成一个浅沟槽隔离结构，多个所述浅沟槽隔离结构之间的台阶高度差均匀。
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