SK恩普士有限公司洪承哲获国家专利权
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龙图腾网获悉SK恩普士有限公司申请的专利半导体工艺用组合物、其制造方法和半导体器件制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116515400B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310072545.2，技术领域涉及：C09G1/02；该发明授权半导体工艺用组合物、其制造方法和半导体器件制造方法是由洪承哲;韩德洙;朴韩址;金桓铁;金圭勋;郑恩先设计研发完成，并于2023-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体工艺用组合物、其制造方法和半导体器件制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体工艺用组合物、其制造方法和半导体器件制造方法。本发明涉及一种半导体工艺用组合物，其适用于半导体晶片的抛光工艺，更具体而言，适用于涉及半导体晶片的抛光工艺的半导体工艺，所述半导体工艺用组合物包含抛光颗粒，在pH6的条件下，所述抛光颗粒的ZETA电位为‑50mV至‑10mV，并且由以下第1式表示的ZETA电位变化率为6mVpH至30mVpH，第1式：ZETA电位变化率mVpH＝|Z6‑Z5p6‑p5|，在所述第1式中，所述p6为pH6，所述p5为pH5，所述Z6为在所述pH6条件下的ZETA电位，所述Z5为在所述pH5条件下的ZETA电位。
本发明授权半导体工艺用组合物、其制造方法和半导体器件制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺用组合物，其中， 包含抛光颗粒， 在pH6的条件下，所述抛光颗粒的ZETA电位为-50mV至-10mV，在pH5的条件下，所述抛光颗粒的ZETA电位为-5mV至-6mV，并且由以下第1式表示的ZETA电位变化率为14mVpH至24mVpH，由以下第4式表示的ZETA电位变化率为9.5mVpH至20mVpH，由以下第3式表示的ZETA电位变化率为8mVpH至20mVpH， 第1式： ZETA电位变化率mVpH＝|Z6-Z5p6-p5| 第4式： ZETA电位变化率mVpH＝|Z6-Z2p6-p2| 第3式： ZETA电位变化率mVpH＝|Z6-Z1p6-p1| 在所述第1式、所述第4式和所述第3式中，所述p6为pH6，所述p5为pH5，所述p2为pH2，所述p1为pH1， 所述Z6为在所述pH6条件下的ZETA电位，所述Z5为在所述pH5条件下的ZETA电位，所述Z2为在所述pH2条件下的ZETA电位，所述Z1为在所述pH1条件下的ZETA电位。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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