西安电子科技大学芜湖研究院张丽获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院申请的专利一种利用分段补偿技术减小温度漂移系数的带隙基准电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115903990B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310031079.3,技术领域涉及:G05F1/565;该发明授权一种利用分段补偿技术减小温度漂移系数的带隙基准电路是由张丽;杨翠莉;党琳;魏小可;汤华莲;郭辉设计研发完成,并于2023-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种利用分段补偿技术减小温度漂移系数的带隙基准电路在说明书摘要公布了:本发明公开了一种利用分段补偿技术减小温度漂移系数的带隙基准电路,包括开启电路、一阶带隙、亚阈值正温电流和补偿电路四个部分;所述开启电路用于消除PTAT电流产生电路的简并偏置点,让其能够正常稳定工作;所述一阶带隙用于对输出电压进行一阶补偿,得到一个近零温的电压,并且产生一个斜率较大的正温电流;所述亚阈值正温电流电路用于产生的一路斜率小于一阶带隙电路产生的正温电流;所述补偿电路利用减法电路对两路正温电流进行处理,将一阶补偿后的电流分别在高温阶段和低温阶段进行抽取从而得到温度系数更低的输出电压。本发明通过两个斜率不同的正温电流来实现分段补偿。
本发明授权一种利用分段补偿技术减小温度漂移系数的带隙基准电路在权利要求书中公布了:1.一种利用分段补偿技术减小温度漂移系数的带隙基准电路,其特征在于,包括开启电路、一阶带隙、亚阈值正温电流和补偿电路四个部分; 所述开启电路用于消除PTAT电流产生电路的简并偏置点,让其能够正常稳定工作; 所述一阶带隙用于对输出电压进行一阶补偿,得到一个近零温的电压,并且产生第一路正温电流; 所述亚阈值正温电流电路用于产生第二路正温电流,且所述第二路正温电流的斜率小于所述第一路正温电流的斜率; 所述补偿电路利用减法电路对两路正温电流进行处理,将一阶补偿后的电流分别在高温阶段和低温阶段进行抽取从而得到温度系数更低的输出电压; 所述亚阈值正温电流包括MOS管M22至M27和电阻R7,构成一路正温电流,其中,M22和M23的栅极相互连接到VBP7,且两管子的源极均接电源,M22管的漏级连接到VBP7和M24的源极;M23的漏级连接到M25的源极,M24和M25的栅极相互连接到VBP8,M24的漏级连接到VBP8和M26的漏级,M25的漏级连接到M27的栅极和源极,M26和M27的栅极相连,M265的源极,连接到R7上,R7的另一端接地,M27的栅极和漏级相连,源极接地; 所述正温电流大小为: IPT2为亚阈值正温电流产生的电流;ΔVGS为M26和M27两个mos管的栅源电压差;R7为支路电阻的阻值; M26和M27工作在亚阈值区,工作在亚阈值区mos的栅源电压差公式如下: ΔVGS为工作在亚阈值区mos的栅源电压差;Vth1和Vth2分别为两个mos管的阈值电压;n为亚阈值斜率修正因子;为热电压,具有正温度系数;和为两个mos管的宽敞比; 通过上述公式得出,ΔVGS具有正温度特性,因此该电流也具有正温度特性,且温度系数小于三极管的正温度特性。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学芜湖研究院,其通讯地址为:241002 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园7号楼;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。