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龙图腾网获悉苏州美图半导体技术有限公司申请的专利晶圆级碱金属气室的制备方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116101972B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211697146.7，技术领域涉及：B81C3/00；该发明授权晶圆级碱金属气室的制备方法及装置是由王云翔设计研发完成，并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆级碱金属气室的制备方法及装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种晶圆级碱金属气室的制备方法及装置。其包括制备预气室晶圆单元，将碱金属沉积在正对应的气室孔槽内，且在气室孔槽内沉积所需的碱金属后，将预气室晶圆单元冷却至常温；提供气室封装晶圆，并将所述气室封装晶圆与上述冷却至常温的预气室晶圆单元进行低温预键合，以在低温预键合后，利用气室封装晶圆封闭预气室晶圆单元内的气室孔槽；对上述低温与键合的气室封装晶圆与预气室晶圆单元进行高温阳极键合，其中，高温阳极键合时，键合气压处于分子泵本底真空状态。本发明能有效实现碱金属气室的制备，避免了碱金属因高温而产生逃逸，同时保证了键合强度，提高了所制备碱金属气室的可靠性。

本发明授权晶圆级碱金属气室的制备方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种晶圆级碱金属气室的制备方法，其特征是，所述制备方法包括： 制备预气室晶圆单元，其中，所述预气室晶圆单元包括若干用于收纳碱金属的气室孔槽4； 将上述制备的预气室晶圆单元与一用于产生碱金属蒸汽的碱金属蒸发装置正对准，其中，所述碱金属蒸发装置包括具有若干反应池槽16的碱金属反应池11，预气室晶圆单元内的气室孔槽4与碱金属反应池11的反应池槽16呈一一正对准，以使得一气室孔槽4与正对应的反应池槽16形成一碱金属给予通道； 对预置于反应池槽16内的碱金属物质加热蒸发，以在加热蒸发后，利用上述的碱金属给予通道将碱金属沉积在正对应的气室孔槽4内，且在气室孔槽4内沉积所需的碱金属后，将预气室晶圆单元冷却至常温； 提供气室封装晶圆8，并将所述气室封装晶圆8与上述冷却至常温的预气室晶圆单元进行低温预键合，以在低温预键合后，利用气室封装晶圆8封闭预气室晶圆单元内的气室孔槽4； 对上述低温与键合的气室封装晶圆8与预气室晶圆单元进行高温阳极键合，其中，高温阳极键合时，键合气压处于分子泵本底真空状态。

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