买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利碳化硅外延设备及碳化硅外延层制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115852490B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211664730.2，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权碳化硅外延设备及碳化硅外延层制备方法是由刘兴昉;杨尚宇;闫果果;王雷;赵万顺;孙国胜;曾一平设计研发完成，并于2022-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅外延设备及碳化硅外延层制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种碳化硅外延设备，包括：备样室、多个中转室、反应室以及取样室。其中，备样室适用于提供放置装载有衬底晶圆片的托盘的空间；多个中转室，分别设置于备样室与第一生长室之间、第一生长室和第二生长室之间以及第二生长室与取样室之间，适用于对托盘提供暂存的空间；反应室，包括：第一生长室、第二生长室以及第三生长室；第一生长室适用于提供生长缓冲层的反应空间；第二生长室适用于提供生长N型外延层的反应空间；第三生长室适用于提供生长P型外延层的反应空间；取样室适用于放置装载有反应完成的晶圆片的托盘；其中，各室均配置有气垫导轨，气垫导轨上设置有多个自动气垫机构；并且相邻两室之间通过阀门连接。

本发明授权碳化硅外延设备及碳化硅外延层制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅外延设备，包括： 备样室，适用于提供放置装载有衬底晶圆片的托盘的空间； 多个中转室，分别设置于所述备样室与第一生长室之间、第一生长室和第二生长室之间以及所述第二生长室与取样室之间，适用于对所述托盘提供暂存的空间； 反应室，包括： 所述第一生长室，适用于提供生长缓冲层的反应空间； 所述第二生长室，适用于提供生长N型外延层的反应空间； 第三生长室，适用于提供生长P型外延层的反应空间； 所述取样室，适用于放置装载有反应完成的晶圆片的托盘； 其中，所述备样室、所述多个中转室、所述反应室以及所述取样室配置有气垫导轨，所述气垫导轨上设置有多个自动气垫机构；并且相邻两室之间通过阀门连接； 所述气垫导轨包括第一气垫导轨和第二气垫导轨； 所述第一气垫导轨和所述第二气垫导轨的结构相同，均包括：悬浮气室、前进气室以及后退气室； 所述悬浮气室、所述前进气室以及所述后退气室分别适用于控制所述气垫导轨上的所述多个自动气垫机构呈现悬浮、前进以及后退的工作状态； 其中，所述悬浮气室、所述前进气室以及所述后退气室分别配置有一个独立的气体入口和多个独立的气体出口。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院半导体研究所，其通讯地址为：100083 北京市海淀区清华东路甲35号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。