浙江大学温州研究院樊超获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学温州研究院申请的专利一种在云母表面外延生长半导体微米线阵列的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230495B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211608890.5，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种在云母表面外延生长半导体微米线阵列的方法是由樊超;戴兴良;何海平设计研发完成，并于2022-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种在云母表面外延生长半导体微米线阵列的方法在说明书摘要公布了：本申请公开了在云母表面外延生长半导体微米线阵列的方法，包括步骤：首先，在平滑的云母衬底上构建高吸附区；然后，在该云母衬底表面气相外延生长半导体微米线阵列。本发明通过在云母表面构建高吸附区，使气相原子优先在该区域成核，垂直于高吸附区边界外延生长的平面内微米线具有更大的生长竞争优势，而其它方向外延生长的平面内微米线的生长前端易被截止从而停止生长，最终形成有序排列的一维微米线阵列结构。
本发明授权一种在云母表面外延生长半导体微米线阵列的方法在权利要求书中公布了：1.一种在云母表面外延生长半导体微米线阵列的方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤（1）在云母衬底表面构建高吸附区域； 步骤（2）通过气相沉积，在云母衬底的高吸附区边界外延生长半导体微米线阵列； 其中，所述云母衬底包括白云母和氟金云母，所述半导体具有可以在云母衬底表面外延生长为多种取向的一维线状结构的特征；所述半导体微米线阵列是CsPbBr3； 所述步骤1中，所述在云母衬底表面构建高吸附区域的方法为：用石墨粉末平铺在云母衬底表面，利用石墨对气相原子的吸附特性来形成高吸附区域。
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