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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种原位互连的感存算一体化集成器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116033822B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211603584.2，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种原位互连的感存算一体化集成器件及其制备方法是由孟佳琳;王天宇;陈琳;孙清清;张卫设计研发完成，并于2022-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种原位互连的感存算一体化集成器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种原位互连的感存算一体化集成器件及其制备方法。该原位互连的感存算一体化集成器件包括：衬底，其形成有间隔排列的第一凹槽结构；神经形态器件，包括底电极，功能层和顶电极，依次形成在第一凹槽结构中，第一隔离层，形成在神经形态器件的顶电极上，其形成有多个间隔分布的通孔；第二隔离层，形成在第一凹槽结构间的衬底表面；传感器件的底电极，其填充通孔，并覆盖第一隔离层表面和第二隔离层间的衬底表面；间隔排列的第二凹槽结构，形成在传感器件的底电极上，第二凹槽结构的位置与通孔的位置相对应；传感器件的功能层，形成在第二凹槽结构的底部和侧壁；光电传感器的顶电极，形成在传感器件的功能层上并填充第二凹槽结构。

本发明授权一种原位互连的感存算一体化集成器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种原位互连的感存算一体化集成器件制备方法，其特征在于， 包括以下步骤： 在衬底中形成间隔排列的第一凹槽结构； 在所述第一凹槽结构中依次生长神经形态器件的底电极，功能层和顶电极，以及第一隔离层，完成第一凹槽结构的填充； 在所述第一凹槽结构间的衬底表面形成第二隔离层； 在所述第一隔离层中刻蚀形成间隔分布的多个通孔，使其贯穿第一隔离层； 形成传感器件的底电极，使其填充所述通孔，并覆盖第一隔离层表面和第二隔离层间的衬底表面； 在传感器件的底电极上形成间隔排列的第二凹槽结构，所述第二凹槽结构的位置与所述通孔的位置相对应； 在所述第二凹槽结构的底部和侧壁形成传感器件的功能层； 在传感器件的功能层上形成光电传感器的顶电极，使其填充所述第二凹槽结构，从而完成原位互连的感存算一体化集成器件的制备， 光电传感器对光信号采集后直接垂直输入进入神经形态器件进行处理与存储，实现感存算一体化集成的功能， 其中，所述神经形态器件的功能层为铪基掺杂薄膜；所述传感器件的功能层包括第一功能层和第二功能层，其中，第一功能层为纳米片，第二功能层为无机钙钛矿纳米晶；所述纳米片为PtTe2、PtSe2、PdTe2、PdSe2、SnTe2或SnSe2。

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