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西安理工大学郭仲杰获国家专利权

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龙图腾网获悉西安理工大学申请的专利应用于多节电池管理芯片的电压采样电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115856398B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211592072.0,技术领域涉及:G01R19/00;该发明授权应用于多节电池管理芯片的电压采样电路是由郭仲杰;白若楷;杨佳乐;石昊设计研发完成,并于2022-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

应用于多节电池管理芯片的电压采样电路在说明书摘要公布了:本发明公开了一种应用于多节电池管理芯片的电压采样电路,在首节电池采样电路中在正端电池电压处加入了单位增益连接型的运算放大器,使得电压采样结果不变的情况下,采样电路所消耗的电流通过芯片中低压电压源提供,即电池组中所有电池同时提供,不由首节电池单独提供;最高节电池采样电路所消耗的电流自身便由最高节电池电压提供,不需要做出改进;其余节电池中加入了正端电压预处理电路和负端电压预处理电路,使得采样电池自身没有额外电流流出,采样过程中电池组中每节电池流过的电流一致。此外改变了采样电路中运算放大器的连接方法,避免了运算放大器中大量高压MOS管的使用,改善了电压采样精度。

本发明授权应用于多节电池管理芯片的电压采样电路在权利要求书中公布了:1.应用于多节电池管理芯片的电压采样电路,其特征在于:包括并联连接的首节电池采样电路、若干中间节电池采样电路及最高节电池采样电路;首节电池采样电路在正端电池电压处设有运算放大器OP1; 中间节电池采样电路包括运算放大器OP,运算放大器OP的上端接正端电压预处理电路,运算放大器的下端接电阻R的上端,电阻R的下端连接MOS管M的漏端,MOS管M的源端接电流源I的上端,电流源I下端接地,运算放大器OP的正端接电阻R32的下端,运算放大器OP的输出接MOS管M34的栅极,运算放大器OP的负端接负端电压预处理电路,MOS管M34的漏端接电阻R32的下端,MOS管M34的源端接电阻R31的上端并作为输出VOUT。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人西安理工大学,其通讯地址为:710048 陕西省西安市碑林区金花南路5号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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