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龙图腾网获悉重庆烯宇新材料科技有限公司申请的专利一种复合纳米线交错连通电磁屏蔽膜及制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115942729B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211597863.2，技术领域涉及：H05K9/00；该发明授权一种复合纳米线交错连通电磁屏蔽膜及制备工艺是由甘李;王帅;唐波;胡典勤;张凯雯设计研发完成，并于2022-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种复合纳米线交错连通电磁屏蔽膜及制备工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及纳米线电磁屏蔽膜制备技术领域，且公开了一种复合纳米线交错连通电磁屏蔽膜及制备工艺，利用阳离子型配位单体中的S配位原子与纳米铜线形成Cu‑S配位键吸附在纳米铜线表面，获得显正电性铜纳米线，利用阴离子型配位单体中的S配位原子与纳米银线形成Ag‑S配位键吸附在纳米银线表面，获得显负电性银纳米线，并且铜纳米线上正电荷的物质的量大于银纳米线上负电荷的物质的量，通过静电吸附力使纳米银线和纳米铜线进行静电自组装，获得显正电性且呈现交错连通分布的银铜复合纳米线，其在静电吸附作用下自发沉积到显负电性柔性基底上，得到复合纳米线交错连通电磁屏蔽膜，该电磁屏蔽膜展现出优异的光电性能。

本发明授权一种复合纳米线交错连通电磁屏蔽膜及制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种复合纳米线交错连通电磁屏蔽膜的制备工艺，其特征在于，所述制备工艺包括如下步骤： 步骤1，将铜纳米线和阳离子型配位单体加入到去离子水中超声分散均匀，阳离子型配位单体中的S配位原子与纳米铜线形成Cu-S配位键吸附在纳米铜线表面，获得显正电性铜纳米线分散液； 阳离子型配位单体的化学结构式为： ； 将银纳米线和阴离子型配位单体加入到去离子水中超声分散均匀，阴离子型配位单体中的S配位原子与纳米银线形成Ag-S配位键吸附在纳米银线表面，获得显负电性银纳米线分散液； 阴离子型配位单体的化学结构式为： ； 铜纳米线上正电荷的物质的量大于银纳米线上负电荷的物质的量； 将显正电性铜纳米线分散液与显负电性银纳米线分散液通过混合操作进行静电自组装反应获得显正电性且呈现交错连通分布的银铜复合纳米线分散液； 步骤2，制备显负电性柔性基底，其制备方法为：采用烯丙基磺酸钠在紫外线辐照作用下与柔性基底进行聚合接枝反应制备得到； 步骤3，将步骤2制备的显负电性柔性基底浸入步骤1制备的银铜复合纳米线分散液中，通过静电吸附力使银铜复合纳米线自发沉积到柔性基底上，得到复合纳米线交错连通电磁屏蔽膜。

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