中国电子科技集团公司第十二研究所李兴辉获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十二研究所申请的专利一种具有内壁保护层的微型原子气室及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116081567B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211579959.6，技术领域涉及：B81C3/00；该发明授权一种具有内壁保护层的微型原子气室及制备方法是由李兴辉;杜婷;韩攀阳;李洋;陈海军;蔡军;冯进军设计研发完成，并于2022-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有内壁保护层的微型原子气室及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有内壁保护层的微型原子气室及制备方法：所述微型原子气室的结构包括：上到下依次设置的第二玻璃层、具有通孔结构的硅基体和第一玻璃层；所述通孔结构、第一玻璃层和第二玻璃层构成微型原子气室；所述微型原子气室内表面被保护层完全覆盖，碱金属被保护层封裹在微型原子气室内部。其中，本发明提供的微型原子气室中，保护层只存在原子气室内壁，不存在玻璃和硅基体的交界面，不会影响原子气室键合工艺界面，利于实现微型原子气室的高强度、高气密性；而且碱金属被保护层封裹在原子气室内部，防止碱金属原子因为扩散进入内壁或与内壁材料发生化学反应导致的数量减少，从而能够提高微型原子气室的寿命。
本发明授权一种具有内壁保护层的微型原子气室及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有内壁保护层的微型原子气室的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 1）提供具有通孔结构的硅基体； 2）将所述硅基体的下表面与第一玻璃层进行一次阳极键合，使所述通孔结构和所述第一玻璃层构成承载腔； 3）在所述硅基体的上表面以及所述通孔结构的侧壁上边缘沉积牺牲层；然后在所述牺牲层的表面以及所述承载腔的内表面沉积保护层；其中，所述侧壁上边缘的高度不超过所述保护层的厚度； 4）腐蚀去除所述牺牲层及所述牺牲层表面的保护层； 5）在包含保护层的承载腔内填充碱金属； 6）在第二玻璃层的表面制作图形化的保护层，使所述图形化的保护层与承载腔内的下表面相对应； 7）将所述硅基体的上表面与所述第二玻璃层进行二次阳极键合，使保护层和图形化的保护层完全覆盖原子气室内壁表面。
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