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龙图腾网获悉河南大学申请的专利一种空穴传输层掺杂硫氧化锡的钙钛矿太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115623799B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211516555.2，技术领域涉及：H10K30/50；该发明授权一种空穴传输层掺杂硫氧化锡的钙钛矿太阳能电池及其制备方法是由陈冲;靳梦琦;李福民;申志涛;王梦欣;周欣设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种空穴传输层掺杂硫氧化锡的钙钛矿太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种空穴传输层掺杂硫氧化锡的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，包括以下步骤：将玻璃ITO基底洗净并吹干；将稀释后的SnO2胶体水溶液旋涂在ITO玻璃上；将稀释后的Al2O3的异丙醇溶液旋涂于SnO2薄膜上；将3D钙钛矿前驱体溶液旋涂于Al2O3薄膜上；将BAI的异丙醇溶液旋涂于3D钙钛矿薄膜上；将空穴传输层Spiro‑OMeTAD:SnS1‑xO2x分散液旋涂于2D钙钛矿薄膜上；利用真空蒸镀法在空穴传输层上蒸镀金电极，即得。本发明避免了以往太阳能电池制备过程中的高温处理从而能够降低生产成本，并且还能显著提高和改进太阳能电池的光电转换效率和稳定性，适合卷对卷和刮涂等大规模工业化生产。

本发明授权一种空穴传输层掺杂硫氧化锡的钙钛矿太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种空穴传输层掺杂硫氧化锡的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： （1）清洗并吹干刻蚀过的玻璃ITO基板，使用前紫外臭氧处理； （2）用去离子水稀释SnO2胶体水溶液；然后将稀释后的SnO2胶体水溶液旋涂在ITO玻璃上，旋涂后退火处理，之后进行紫外处理，得到ITOSnO2衬底； （3）在获得的ITOSnO2衬底上旋涂Al2O3的异丙醇溶液，退火后得到ITOSnO2Al2O3衬底； （4）在充满氮气的手套箱中，在获得的ITOSnO2Al2O3衬底上旋涂三维（3D）钙钛矿的前驱体溶液，退火后得到ITOSnO2Al2O33D钙钛矿衬底；3D钙钛矿前驱体溶液具体为Cs0.05FA0.85MA0.150.95PbI0.85Br0.153:CNT:TiO2CsFAMA:CNT:TiO2钙钛矿前驱体溶液，制备过程如下：将一定量的CNT:TiO2粉末溶解在体积比为8.5:1.5的DMFDMSO混合溶剂中，得到浓度为0.025mgmL-1的混合极性溶液，将CsI、FAI、MAI、PbI2和PbBr2以0.05:0.81:0.14:0.78:0.22的摩尔比溶解在1mL上述获得的浓度为0.025mgmL-1的CNT:TiO2溶液中，得到摩尔浓度为1.4molL-1的Cs0.05MA0.15FA0.850.95PbI0.85Br0.153:CNT:TiO2溶液，并在搅拌至少12小时后使用； （5）在已获得的ITOSnO2Al2O33D钙钛矿衬底上旋涂BAI的异丙醇溶液，退火后获得二维（2D）钙钛矿薄膜，得到ITOSnO2Al2O33D钙钛矿2D钙钛矿衬底； （6）在2D钙钛矿薄膜上旋涂空穴传输层Spiro-OMeTAD:SnS1-xO2x分散液，得到ITOSnO2Al2O33D钙钛矿2D钙钛矿Spiro-OMeTAD:SnS1-xO2x衬底； （7）利用真空蒸镀法在获得的ITOSnO2Al2O33D钙钛矿2D钙钛矿Spiro-OMeTAD:SnS1-xO2x衬底上蒸镀金电极，得到结构为ITOSnO2Al2O33D钙钛矿2D钙钛矿Spiro-OMeTAD:SnS1-xO2xAu的钙钛矿太阳能电池。

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