买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉湖北亿纬动力有限公司申请的专利一种热阻、开关电路温升确定方法、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115754658B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211492535.6，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种热阻、开关电路温升确定方法、设备及存储介质是由肖钰琪设计研发完成，并于2022-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种热阻、开关电路温升确定方法、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种热阻、开关电路温升确定方法、设备及存储介质。热阻确定方法包括：获取被测MOS器件稳定工作时第一温度；获取环境温度，获取连接于被测MOS器件的阻性器件在环境温度下的第一阻值；获取被测MOS器件的导通电阻‑温度曲线，通过导通电阻‑温度曲线确定被测MOS器件在第一温度下的第二阻值；采用第一温度、环境温度，通过导通电阻‑温度曲线确定阻性器件温升系数；通过第一阻值以及阻性器件温升系数确定阻性器件在第一温度下的第三阻值；获取被测MOS器件的测试电流，采用测试电流、第二阻值以及第三阻值确定测试功率；通过测试功率、第一温度以及环境温度确定被测MOS器件的热阻。

本发明授权一种热阻、开关电路温升确定方法、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种MOS器件热阻确定方法，其特征在于，包括： 获取被测MOS器件稳定工作时第一温度，第一温度为被测MOS器件在指定测试电流下，处于稳定工作状态时的结温或表面温度； 获取环境温度，获取连接于所述被测MOS器件的阻性器件在所述环境温度下的第一阻值； 获取所述被测MOS器件的导通电阻-温度曲线，通过所述导通电阻-温度曲线确定所述被测MOS器件在所述第一温度下的第二阻值； 采用所述第一温度、环境温度，通过所述导通电阻-温度曲线确定阻性器件温升系数； 通过所述第一阻值以及所述阻性器件温升系数确定所述阻性器件在所述第一温度下的第三阻值； 获取所述被测MOS器件的测试电流，采用所述测试电流、第二阻值以及第三阻值确定测试功率； 通过所述测试功率、第一温度以及环境温度确定所述被测MOS器件的热阻； 确定所述阻性器件温升系数采用的公式为： 式中，KT表示阻性器件温升系数，Rds1表示第一温度下的被测MOS器件的导通电阻，Rds2环境温度下被测MOS器件的导通电阻，T1表示第一温度，T2表示第二温度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北亿纬动力有限公司，其通讯地址为：448000 湖北省荆门市荆门高新区掇刀区荆南大道68号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。