中国科学院上海微系统与信息技术研究所张国峰获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利约瑟夫森结及超导电子器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115835767B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211493020.8，技术领域涉及：H10N60/01；该发明授权约瑟夫森结及超导电子器件的制备方法是由张国峰;王永良;荣亮亮;董慧;谢晓明设计研发完成，并于2022-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本约瑟夫森结及超导电子器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种约瑟夫森结及超导电子器件的制备方法，通过制备具有不同厚度的第一超导层及第二超导层，在进行约瑟夫森结的预定义后，可对第二超导层进行第一次过刻形成第一超导条带线，并直接进行绝缘保护层的生长和剥离，而后制备第三超导层，并进行第二超导条带线的刻蚀，同时对第二超导层即第一超导条带线进行第二次过刻，以通过双过刻工艺，提供一种亚微米乃至深亚微米尺度的约瑟夫森结的制备方法，可以解决现有工艺设备的精度限制，从而降低工艺设备成本，适用于高性能实用化超导量子干涉器件和其他基于约瑟夫森结的超导电子器件的可靠制备。
本发明授权约瑟夫森结及超导电子器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种约瑟夫森结的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供衬底； 于所述衬底上形成自下而上堆叠的第一超导层、绝缘势垒层及第二超导层，其中，所述第一超导层具有第一厚度，所述第二超导层具有第二厚度，且所述第一厚度大于所述第二厚度； 刻蚀所述第二超导层及所述绝缘势垒层，显露部分所述第一超导层； 刻蚀显露的所述第一超导层形成下层引出电极，同时刻蚀所述第二超导层在所述绝缘势垒层上形成第一超导条带线； 形成绝缘保护层，所述绝缘保护层覆盖所述绝缘势垒层，且显露所述第一超导条带线的表面及所述下层引出电极的表面； 于所述第一超导条带线上形成第三超导层； 刻蚀所述第三超导层形成第二超导条带线及上层引出电极，同时刻蚀所述第一超导条带线显露所述绝缘势垒层，且所述第二超导条带线与所述第一超导条带线交叉。
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