复旦大学孟佳琳获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种柔性反铁电神经形态晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115867120B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211489471.4，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种柔性反铁电神经形态晶体管及其制备方法是由孟佳琳;王天宇;李振海;陈琳;孙清清;张卫设计研发完成，并于2022-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种柔性反铁电神经形态晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种柔性反铁电神经形态晶体管及其制备方法。该柔性反铁电神经形态晶体管包括：柔性衬底；栅电极薄膜，形成在所述柔性衬底上；过渡层，其为高k介质材料，形成在所述栅电极薄膜上；反铁电性功能薄膜叠层，由多重铪基铁电薄膜和反铁电诱导层交叠而成，形成在所述过渡层上；硅纳米线，其表面包覆有二维半导体薄膜和二维铁电薄膜，相互间隔且平行排列，形成在所述反铁电性功能薄膜叠层上；源电极和漏电极，形成在各所述纳米线的两侧。
本发明授权一种柔性反铁电神经形态晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种柔性反铁电神经形态晶体管，其特征在于， 包括： 柔性衬底； 栅电极薄膜，形成在所述柔性衬底上； 过渡层，其为高k介质材料，形成在所述栅电极薄膜上； 反铁电性功能薄膜叠层，由多重铪基铁电薄膜和反铁电诱导层交叠而成，形成在所述过渡层上； 多个硅纳米线，各硅纳米线的表面包覆有二维半导体薄膜和二维铁电薄膜，多个硅纳米线相互间隔且平行排列，形成在所述反铁电性功能薄膜叠层上； 源电极和漏电极，形成在各所述硅纳米线的两侧， 其中，所述二维半导体薄膜为MoS2、HfS2、PtS2、WS2、MoSe2、HfSe2、PtSe2、WSe2、MoTe2、HfTe2、PtTe2或WTe2。
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