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龙图腾网获悉上海芯导电子科技股份有限公司申请的专利MOSFET器件的制作方法、及其器件、设备的制作方法及其设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763548B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211464258.8，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权MOSFET器件的制作方法、及其器件、设备的制作方法及其设备是由李艳旭;欧新华;袁琼;陈敏;符志岗;孙春明设计研发完成，并于2022-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本MOSFET器件的制作方法、及其器件、设备的制作方法及其设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种MOSFET器件的制作方法，包括：形成具有栅极沟槽的MOSFET器件结构；所述MOSFET器件结构包括衬底，以及形成于所述衬底上的外延层；场氧层，形成于所述栅极沟槽的内壁以及所述栅极沟槽外的所述外延层的表面上；形成屏蔽栅极；其中，所述屏蔽栅极顶端是平整的表面。形成栅间氧化层以及栅极；所述栅间氧化层形成于所述屏蔽栅极的平整的表面上，所述栅极形成于所述栅间氧化层上；在所述栅极周围的所述外延层中依次形成体区离子注入层、源区离子注入层，在所述栅极的顶端依次形成层间介质层和金属铝层，以及形成接触孔。该技术方案解决了如何制作平整表面的屏蔽栅极的问题，实现了保证器件具有更好的电性的技术效果。

本发明授权MOSFET器件的制作方法、及其器件、设备的制作方法及其设备在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET器件的制作方法，其特征在于，包括：形成具有栅极沟槽的MOSFET器件结构；所述MOSFET器件结构包括衬底，以及形成于所述衬底上的外延层；所述栅极沟槽形成于所述外延层中；场氧层，形成于所述栅极沟槽的内壁以及所述栅极沟槽外的所述外延层的表面上； 形成屏蔽栅极，所述屏蔽栅极形成于所述栅极沟槽的底部；所述场氧层形成于所述屏蔽栅极与所述外延层之间；其中，所述屏蔽栅极顶端是平整的表面； 形成栅间氧化层以及栅极；所述栅间氧化层形成于所述屏蔽栅极的平整的表面上，所述栅极形成于所述栅间氧化层上，且填满所述栅极沟槽的顶端； 在所述栅极周围的所述外延层中依次形成体区离子注入层、源区离子注入层，在所述栅极的顶端依次形成层间介质层和金属铝层，以及形成接触孔；所述接触孔贯穿所述体区离子注入层、所述源区离子注入层、所述层间介质层以及所述金属铝层的远离所述栅极的边缘； 其中，形成屏蔽栅极具体包括： 在所述栅极沟槽中沉积栅极材料；其中，所述栅极沟槽中包括一缝隙； 在所述缝隙中形成氧化层，具体方式是：对所述栅极沟槽中的栅极材料进行低温热氧化，以使得所述缝隙中形成所述氧化层，以填满所述缝隙； 去除所述栅极沟槽顶端的栅极材料以及所述栅极沟槽外的外延层表面的栅极材料，以在所述栅极沟槽的底部形成所述屏蔽栅极。

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