中国科学院上海微系统与信息技术研究所何桂香获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种超导集成电路器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115915908B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211405962.6，技术领域涉及：H10N60/12；该发明授权一种超导集成电路器件的制备方法是由何桂香;应利良;谢辉;彭炜;王镇设计研发完成，并于2022-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超导集成电路器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种超导集成电路器件的制备方法，在形成第三绝缘材料层时，先在第三超导材料层表面沉积一定厚度的绝缘材料形成第三绝缘材料层，由于第三绝缘材料层的厚度较大，因此其易在凸角处形成鼓包；接着，采用离子束刻蚀的方法去除具有第一厚度的第三绝缘材料层，从而消除鼓包；最后，在上述结构表面重新沉积具有第一厚度的绝缘材料，最终获得具有平整表面的第三绝缘材料层。本发明提供的超导集成电路器件的制备方法解决了在形成厚度较大的绝缘材料层时易产生的鼓包的问题，从而有效改善了超导集成器件电感层的刻蚀残留问题，避免了层内金属连接时容易产生的短路问题；且本发明提供的超导集成电路器件的制备方法操作简单，大大提高了生产效率。
本发明授权一种超导集成电路器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超导集成电路器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1：提供衬底，并于所述衬底上形成旁路电阻； S2：在步骤S1得到的结构表面形成具有第一开孔的图形化的第一绝缘材料层，且所述第一开孔显露所述旁路电阻； S3：在步骤S2得到的结构表面依次形成第一超导材料层、势垒材料层、第二超导材料层的三层薄膜结构，刻蚀所述三层薄膜结构以形成约瑟夫森结； S4：在步骤S3得到的结构表面依次形成图形化的第二绝缘材料层及图形化的第三超导材料层； S5：在步骤S4得到的结构表面沉积绝缘材料形成图形化的第三绝缘材料层，并采用离子束刻蚀的方法对所述第三绝缘材料层进行修整，去除具有第一厚度的所述绝缘材料，获得具有平整表面的所述第三绝缘材料层； S6：在步骤S5得到的结构表面沉积具有第一厚度的所述绝缘材料，并对所述第三绝缘材料层进行图形化。
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