北京科华微电子材料有限公司;上海彤程电子材料有限公司;彤程新材料集团股份有限公司郑金红获国家专利权
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龙图腾网获悉北京科华微电子材料有限公司;上海彤程电子材料有限公司;彤程新材料集团股份有限公司申请的专利一种光刻胶组合物及其用途获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115639722B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211361864.7，技术领域涉及：G03F7/004；该发明授权一种光刻胶组合物及其用途是由郑金红;王璨;马洁;孙嘉;李冰;陈昕;温煜明;董栋;张宁设计研发完成，并于2022-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光刻胶组合物及其用途在说明书摘要公布了：本申请提供了一种光刻胶组合物及其用途，其中，光刻胶组合物通过添加含多羟基苯基化合物的添加剂，一方面提高了非曝光区的溶解速率，解决了显影后光刻胶图形表面有残留物的问题，另一方面由于光刻胶组合物的结构上可交联的羟基数目多，曝光区交联密度大，使曝光区与非曝光区，溶解速率差距进一步增大，提高了光刻胶的对比度，从而解决了显影后光刻胶图形的间隔区出现桥接缺陷的问题。将本申请的光刻胶组合物用作深紫外KrF负型光刻胶时，其具有更高的分辨率和更好的工艺窗口。
本发明授权一种光刻胶组合物及其用途在权利要求书中公布了：1.一种光刻胶组合物，其包括含多羟基苯基化合物的添加剂，所述含多羟基苯基化合物的添加剂选自通式III表示的多羟基多苯基化合物： 通式III中，R12、R13、R14和R15各自独立地选自氢原子、C1～C4烷基、羟甲基或多羟基苯基； m5和n5表示羟基的个数，m5和n5各自独立地为1～4的整数； 各个所述多羟基苯基中羟基的个数各自独立地选自2个～6个； 所述光刻胶组合物还包括以下组分：含对羟基苯乙烯结构单元的聚合物、光致产酸剂、交联剂、含氮碱性化合物、表面活性剂、溶剂； 所述含对羟基苯乙烯结构单元的聚合物、所述含多羟基苯基化合物的添加剂、所述光致产酸剂、所述交联剂、所述含氮碱性化合物、所述表面活性剂的质量比为100:1～20:1～10:1～10:0.01～1:0.005～0.5。
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