中国科学院物理研究所陈小龙获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利用于制备n型SiC单晶的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115821362B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211356533.4，技术领域涉及：C30B9/12；该发明授权用于制备n型SiC单晶的方法是由陈小龙;王国宾;李辉;盛达;王文军;郭建刚设计研发完成，并于2022-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于制备n型SiC单晶的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于制备n型SiC单晶的方法，其包括以下步骤：1将助熔剂置于石墨坩埚中，并且将SiC籽晶固定在石墨坩埚上方的提拉杆上；2将所述石墨坩埚置于生长炉中，然后对所述生长炉抽真空；3加热石墨坩埚至所述助熔剂完全熔化以形成熔体，通入包含氮气的混合气体以控制生长炉内的气压并保持恒定的氮气分压；4下推提拉杆使得所述籽晶与熔体接触，进而生长n型SiC单晶。本发明的方法能够有效地通过液相法生长出高质量的、掺杂均匀的n型SiC单晶，而且能够实现氮掺杂浓度的大范围精确调控。同时，该方法还具有生长温度低、生长速率高和生长成本低的优势。
本发明授权用于制备n型SiC单晶的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制备n型SiC单晶的方法，其包括以下步骤： （1）将助熔剂置于石墨坩埚中，并且将SiC籽晶固定在石墨坩埚上方的提拉杆上； （2）将所述石墨坩埚置于生长炉中，然后对所述生长炉抽真空； （3）加热石墨坩埚至所述助熔剂完全熔化以形成熔体，通入包含氮气的混合气体以控制生长炉内的气压并保持恒定的氮气分压； （4）下推所述提拉杆使得所述籽晶与熔体接触，进而生长n型SiC单晶； 其中，所述助熔剂为不含Al的合金； 所述合金由元素Si、M、X和Z组成； 所述元素M选自Cr、Ti、Sc、Ce、Co、Ni和Ce中的一种或几种； 所述元素X选自Fe、Co、Ni和Cu中的一种或几种； 所述元素Z选自Ga、In、Sn、Ge、Y、La和Pr中的一种或几种； 所述合金中的Si、M、X与Z的原子摩尔比为10-70:30-60:0.5-10:0.5-10； 所述混合气体由氮气与选自氧气、氢气、氦气和氩气中的一种或多种混合而成； 所述混合气体中氮气的体积占35%～75%。
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