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龙图腾网获悉西安交通大学;陕西半导体先导技术中心有限公司申请的专利一种MOSFET栅氧化层陷阱密度的检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115642101B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211348843.1，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种MOSFET栅氧化层陷阱密度的检测方法是由贺永宁;付祥和;蔡亚辉;赵小龙;彭文博;田鸿昌;何晓宁;朱权喆设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MOSFET栅氧化层陷阱密度的检测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MOSFET栅氧化层陷阱密度的检测方法，包括：1对MOSFET器件进行阈值电压和栅氧化层电容测试；2对上述MOSFET进行电子束辐照处理，在不同的辐照剂量之后，测试器件的阈值电压；3当器件阈值电压不随辐照剂量增加而变化时，不在进行辐照处理，并记录最终的阈值电压；4根据电子辐照处理前后MOSFET阈值电压变化量计算得到栅氧化层固定电荷的变化量；5根据栅氧化层固定电荷的变化量和栅氧化层的面积计算得到栅氧化层陷阱密度。利用本发明，可以快速获取MOSFET栅氧化层陷阱密度，用于分析器件性能和栅氧化层工艺改进，应用广泛。

本发明授权一种MOSFET栅氧化层陷阱密度的检测方法在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET栅氧化层陷阱密度的检测方法，其特征在于，包括以下步骤： 1对MOSFET器件进行阈值电压和栅氧化层电容测试：a对器件进行转移特性测试，取设定漏极电流对应的栅极电压作为阈值电压；b对器件进行CGS-VGS特性测试，获得器件的栅氧化层电容； 2对MOSFET器件进行电子辐照处理，在不同的辐照剂量之后，测试器件的阈值电压； 3当器件阈值电压不随辐照剂量增加而变化时，栅氧化层内陷阱捕获电荷达到饱和，不再进行辐照处理，并记录最终的阈值电压，得到电子辐照处理后MOSFET阈值电压变化量； 4根据电子辐照处理前后MOSFET阈值电压变化量计算得到栅氧化层固定电荷量，栅氧化层固定电荷量由以下公式求得： Qt＝ΔVthCox 其中Qt为栅氧化层固定电荷量，△Vth为阈值电压变化量，Cox为栅氧化层电容； 5根据栅氧化层固定电荷量和栅氧化层的面积计算得到栅氧化层固定电荷密度，计算公式如下： nt＝QtqSox 其中nt是栅氧化层固定电荷密度，Qt是栅氧化层固定电荷量，q是元电荷，Sox是栅氧化层的面积； 栅氧化层陷阱密度为： n＝ntmax 其中，n是栅氧化层陷阱密度，ntmax是栅氧化层陷阱完全填充电荷时固定电荷密度。

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