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龙图腾网获悉安徽财经大学申请的专利一种可执行原位存储逻辑运算的10T1C SRAM单元结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115482847B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211245830.1，技术领域涉及：G11C7/12；该发明授权一种可执行原位存储逻辑运算的10T1C SRAM单元结构是由张劲;周健;武岳;段凯宇;王加群;冯浩设计研发完成，并于2022-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可执行原位存储逻辑运算的10T1C SRAM单元结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种可执行原位存储逻辑运算的10T1CSRAM单元结构，包括10个MOS晶体管；一个中转存储电容，其中M1～M6构成存储部分，M7～M10构成计算部分；PMOS管M1与NMOS管M2、以及PMOS管M3与NMOS管M4形成两个交叉耦合的反相器；CVDP端与VDD端在开关SW1的控制下连接或断开，CVSP端与VSS端在开关SW2的控制下连接或断开。基于所述10T1CSRAM单元的结构，单个10T1CSRAM单元可进行原位存储逻辑“与”运算。该10T1CSRAM单元可高效、快捷的执行原位存储逻辑“与”运算，运算结果原位覆盖存储在操作数所在的10T1CSRAM单元中。

本发明授权一种可执行原位存储逻辑运算的10T1C SRAM单元结构在权利要求书中公布了：1.一种可执行原位存储逻辑运算的10T1CSRAM单元结构，其特征在于，所述10T1CSRAM单元包括10个MOS晶体管，记为M1～M10；一个中转存储电容，记为C1，其中： M1～M6构成存储部分，M7～M10构成计算部分； PMOS管M1与NMOS管M2、以及PMOS管M3与NMOS管M4形成两个交叉耦合的反相器； PMOS管M1源端连接可控制的VDD端口，即CVDP，漏端接存储点Q；NMOS管M2源端接可控制的VSS端口，即CVSP，漏端接存储点Q；其中CVDP受控于开关SW1，CVSP受控于开关SW2，当开关SW1闭合时，CVDP连接VDD，当开关SW1断开时，CVDP空接；当开关SW2闭合时，CVSP连接VSS，当开关SW2断开时，CVSP空接； PMOS管M3源端接VDD，漏端接存储点QB；NMOS管M4源端接VSS，漏端接存储点QB； 且PMOS管M1与NMOS管M2栅端由存储点QB点控制，PMOS管M3与NMOS管M4栅端由存储点Q点控制； NMOS管M5的漏端连接存储点Q，栅端连接字线WL，源端连接左侧位线BL； NMOS管M6的漏端连接存储点QB，栅端连接字线WL，源端连接右侧位线BLB； NMOS管M9的漏端连接存储点QB，栅端连接控制信号EN1，源端连接中转存储电容C1； 中转存储电容C1用于存储中转存储点QC的电压，中转存储电容C1的上端连接PMOS管M10的漏端及NMOS管M8的栅端，下端连接VSS； PMOS管M10的栅端连接控制信号WL_VICE，源端连接位线RBL； NMOS管M7的漏端连接存储点Q，源端连接NMOS管M8的漏端，栅端连接控制信号EN2； NMOS管M8源端连接VSS，栅端连接中转存储节点QC； PMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M5与NMOS管M7之间形成寄生电容C2，当CVDP和CVSP空接时，PMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M5与NMOS管M7之间形成的寄生电容C2保存存储点Q的电压； 基于所述10T1CSRAM单元的结构，单个10T1CSRAM单元可进行原位存储逻辑“与”运算；同时由于多位乘法运算可分解为一系列逻辑“与”运算，故可由一组10T1CSRAM单元执行多位乘法运算。

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