北京京仪自动化装备技术股份有限公司宁腾飞获国家专利权
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龙图腾网获悉北京京仪自动化装备技术股份有限公司申请的专利用于半导体废气处理设备的反应腔和半导体废气处理设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116510476B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211143960.4，技术领域涉及：B01D53/50；该发明授权用于半导体废气处理设备的反应腔和半导体废气处理设备是由宁腾飞设计研发完成，并于2022-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于半导体废气处理设备的反应腔和半导体废气处理设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种用于半导体废气处理设备的反应腔和半导体废气处理设备，反应腔包括：反应腔本体，呈圆筒状，半导体制程产生的废气生成于反应腔本体内；均水环，呈阵列状、沿反应腔本体的周向设置于反应腔本体的内壁顶部，均水环用于对进入反应腔本体的溢流水进行均水处理，使得溢流水均匀地覆盖反应腔本体的整个内壁；均水环的设置高度为：h≥h水＝Q进水量s水冷壁底面积；其中，Q进水量为进水量，s水冷壁底面积为水冷壁的底面积，h水为水冷壁的高度。本申请的反应腔增高了冷却水壁的高度，并采用均水环进行梳齿，降低水壁表面的自由能，使溢流水进入反应腔的过程中更加均匀。这种设置状态可以降低溢流不均匀的随机性不利影响。
本发明授权用于半导体废气处理设备的反应腔和半导体废气处理设备在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体废气处理的反应腔，其特征在于，包括： 反应腔本体，呈圆筒状，半导体制程产生的废气生成于所述反应腔本体内； 均水环，呈阵列状、沿所述反应腔本体的周向设置于所述反应腔本体的内壁顶部，所述均水环用于对进入所述反应腔本体的溢流水进行均水处理，使得溢流水均匀地覆盖所述反应腔本体的整个内壁； 所述均水环的设置高度为： h≥h水； h水＝Q进水量s水冷壁底面积； 其中，Q进水量为溢流水的进水量，s水冷壁底面积为溢流水形成的水冷壁的底面积，h水为溢流水形成的水冷壁的高度。
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