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北京科技大学;北京高压科学研究中心陈吉堃获国家专利权

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龙图腾网获悉北京科技大学;北京高压科学研究中心申请的专利银基硫族化合物阵列式温压协同传感器材料及其使用方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116242419B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-29发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211095270.6,技术领域涉及:G01D21/02;该发明授权银基硫族化合物阵列式温压协同传感器材料及其使用方法是由陈吉堃;李海帆;董洪亮;边驿;张自由;陈志强;毛河光设计研发完成,并于2022-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。

银基硫族化合物阵列式温压协同传感器材料及其使用方法在说明书摘要公布了:一种银基硫族化合物阵列式温压协同传感器材料及使用方法,所制备传感器阵列可实现固、液、气态环境下的温压传感以及温压警报两方面应用。本发明以银基硫族化合物作为敏感材料,按照实际环境探测范围选择银基硫族化合物材料组分从而达到对其电阻率随温度、压力变化关系的设计,并协同使用多种组分银基硫族化合物制成的温压敏感元器件进行温度、压力的协同探测与警报功能。本发明通过对银基硫族化合物材料组分的选择制备的阵列式温压传感器,可以实现对1MPa至50GPa压力范围,200K至600K温度范围固态、液体、气态环境中的温度与压力的协同测量,以及上述临界范围的温压警报应用,在深海探索、深地探索、石油勘探与开采等方面具有应用价值。

本发明授权银基硫族化合物阵列式温压协同传感器材料及其使用方法在权利要求书中公布了:1.一种银基硫族化合物阵列式温压协同传感器材料的应用,其特征在于,所述银基硫族化合物阵列式温压协同传感器材料为温度、压力敏感材料,其化学式为Ag2-xAxS1-yBy;其中A为银原子位取代元素,包括Cu、Hg、Cs、K元素,0≤x≤1.5;B为硫原子位取代元素,包括Se、Te、O元素,0≤y≤1;所述材料能实现固、液、气环境下压力、温度的协同测量,以及临界温压预警两方面应用;一方面,通过银基硫族化合物材料组分设计对其绝缘体相的电阻率随温度、压力的变化关系进行设计,并依照拟探测环境的温度、压力范围选择多种材料组分的银基硫族化合物制作阵列式探测元器件;在拟探测环境中测量上述基于不同组分银基硫族化合物所制备的温压探测元器件的电阻,从而参照其对应材料组分的电阻率、温度、压力关系的标准数学表达式构建关于压力与温度的多个二元方程组,并通过求解上述方程组,获得环境压力、温度值;另一方面,通过材料组分调控银基硫族化合物的电子相变临界触发温度与临界触发压力,利用电子相变所触发的电阻率突变实现对环境中临界温度、压力的预警;可依照拟预警的临界温压范围,使用一种材料组分元器件或协同使用多种材料组分的银基硫族化合物的元器件单元实现对临界温压预警范围的调控与设计。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人北京科技大学;北京高压科学研究中心,其通讯地址为:100083 北京市海淀区学院路30号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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